MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍
2013-01-06 10:28:00
来源：电子元器件网
摘要： 据国外媒体报道，MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管，新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过，速度是当前晶体管的 4 倍左右。
据国外媒体报道，MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管，新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过，速度是当前晶体管的 4 倍左右。为了能够提升速度，科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上，随后锗原子将与硅层结合起来，拉紧材料迫使最上层材料结构比它们的原始结构更加紧凑。听起来有点像我们用藤条改变植物的生长形状一样。
紧凑的结构导致锗材料之间的洞孔更加紧密，晶体管的速度达到当今大部分实验设计的2倍，市场上晶体管速度的 4 倍。
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