受大环境影响，手机、PC、服务器等终端市场疲软，城门失火殃及池鱼，受连累的存储器也逃不过利益缩水的危况，三星、SK海力士、美光等存储大厂纷纷调整生产战略，这对于国内存储企业是好还是坏呢?

手机需求放缓

对于刚过去的2018年，手机销量总体平平。据中国信息通信研究院发表的数据显示，2018年国内手机市场总体出货量为4.14亿部，同比下降15.6%。据多家调查机构数据显示，2018年全球智能手机销量同比下降在1%-3%。

全球手机需求疲软，预计2019年手机产量为14.1亿台，比2018年同比下降3.3%。加上中美贸易战的影响，下降幅度有可能会扩大到5%由于市场疲软，苹果最新款的销售情况没有达到预期，甚至iPhone XR的库存已经膨胀，网友更是放出“苹果滞销，救救果农”的图片。近日来，国内电商平台包括京东、苏宁等已对iPhone8、iPhone 8 Plus、iPhoneXR三款机型大幅降价。

受多种因素影响，导致手机市场整体低迷，援引某行内人士观点，智能手机行业终于接近饱和，换机行为持续拉长，从用户的角度来看，这主要由三个长期因素所驱动：升级到最新型号手机的好处不断减少、新设备的平均价格不断上涨、越来越多的人不愿将智能手机视为一两年就要处理掉的东西。

同时，也受整体大环境的影响。据韩媒《世界日报》报道，手机销量下滑的主要原因是因为国际贸易环境不确定因素等影响，生产量减少率将达5%。

不仅手机需求疲软，PC和服务器等销量也有所下降。

存储器利益缩水

手机市场的萎缩，导致存储芯片也受挫。存储器应用于所有个人消费类或工业设备，包括手机、笔记本、服务器等，三星、SK海力士和美光作为存储器的全球性企业，纷纷受到波及，利润都有所下降。

“成也存储，败也存储”是对存储大厂三星的论调，三星半导体的营收贡献了78%的利润，其中存储和面板占据了大部分，有关人士戏称，卖手机也可能是卖芯片的工具。从2018年第四季度三星负责芯片制造的营业利润来看，首度低于10万亿韩元，三星电子表示，盈利下降部分原因是存储器需求疲软，芯片需求疲软是导致三星业绩不尽人意的主要原因。

海力士也表示2018年第四季度DRAM芯片的出货量下跌2%，其销售价格环比降低11%。在NAND闪存芯片领域，海力士当季的出货量上涨一成，但平均售价则缩水21%。

同样，美光也深受其害，美观发布的2019年Q1财报业绩显示，已经呈走跌趋势，营收环比衰退6%。

另外，存储市场产能过剩导致价格下跌。DRAM内存价格的下降对三星、SK海力士和美光三大存储公司整体不利。据DRAMeXchange的数据显示，从2018年下半年开始，NAND闪存价格下滑了15%，预计2019年第一季度价格下滑幅度约为15%。另一方面，更有观点认为NAND闪存将出现价格腰斩的局面，如果2019年没有强劲的需求支撑，价格将下跌50%。

三星、SK海力士、美光减产

据DRAMeXchange最新调查指出，PC、智能手机和伺服器等终端产品需求疲软，为了改善存储器供应过剩的局面，适应经济放缓的趋势，三星、美光、SK海力士等纷纷调整产出量、减缓投资计划，下调资本支出等战略，以缓价格跌势。

三星则采用“非常经营模式”来挽救存储价格，将减少DRAM内存设备的采购，适应DRAM内存的供需情况，等待下一轮高增长需求出现，并且，三星在2019年转投更有信心的5G、人工智能领域。

SK海力士今年投资DRAM的金额降至55亿美元，主要用于新制程转进及良率提升。美光则下调今年投资DRAM至30亿美元左右，并且为了应对产业低迷的状况，用15亿美元收购全资控股英特尔的IF Flash，研发3-D XPoint技术。

存储企业陆续放出减产投资计划，台湾DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示：“DRAM厂同步降低今年资本支出，主要是要减缓产能过剩压力，并减缓价格下跌速度。但他也表示，在消费电子领域，短期内受中美贸易的不稳定因素干扰，DRAM搭载容量仍维持成长，2019年DRAM市场总体需求仍会稳定增加。”

国产存储加大自主研发进程

在全球经济放缓的背景下，中国迎来绝佳的“逆战期 ”，韩国半导体产业协会常务董事安基贤认为：“在经济衰退时期能够清楚一家企业真正的实力，由于美国的阻拦，中国芯片制造商不得不加大自主研发力度。”

存储事业一直都是本土产业的“芯病”，一直被美日韩大厂所控制，为了实现自主可控的目的，紫光集团在国产存储更进一步。紫光集团旗今年1月8日宣布成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。紫光表示， 这标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破。

据媒体报道，长江存储在八月的Flash Memory Summit上宣布64层的3D NAND将会在今年第三季度实现量产。时任长江存储执行董事、代行董事长高启全强调，长江存储将与三星、SK海力士、东芝等国际大厂的技术差距缩短至一代左右，并考虑要自主开发DRAM技术，切入点可能是18/20纳米制程。

在技术方面，国内存储正在扮演一个追赶者的角色。西部数据在2017年时就已经成功研发出96层芯片和QLC技术，2018年五月，三星宣布已经批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存。当下国内存储事业努力缩小与国际大厂的差距，尽管中国半导体产业在NAND、DRAM等领域取得不错的进步，但是依然存在着很大的不足，相信国产存储会走出一条康庄大道。

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