碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2
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Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion,为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。
在电动汽车市场的激烈竞争中,碳化硅(SiC)器件正成为关键制胜因素。究竟谁能抢占SiC高地,成为这场角逐的最终赢家?
CISSOID日前宣布:公司已与南京航空航天大学自动化学院电气工程系达成深度战略合作协议,共同研发针对碳化硅(SiC)功率电子应用的全方位优化、匹配先进电机的电控系统。
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有宽禁带的特性,从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美,将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。
以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。