谈起导体或是绝缘体相信小伙伴们也不生疏，可是针对半导体，不清楚小伙伴们了解多少?

半导体是指常温状态下导电性能在导体(cond uctor )与绝缘体(in sulator)之间的材料。简单点讲就是一种既能导电又不导电的东西，很奇特吧?普遍的半导体材料有硅、锗、砷化镓等。

接下去要教小伙伴们认两个英语单词，第一个是Positive，意思是正的，阳性的，积极的;另一个是Negative，意思是负的，消极的，这两个英语单词小伙伴们会用到。

今天我们要讲得的结，叫做P-N结。什么是P-N结呢?简单讲 ，就是我们拿一块半导体材料，如最普遍的硅，我们在这块硅基片的一端掺加小量的杂志，如硼元素，这时就会形成P型半导体。同样的，我们在硅基片的另一端掺加小量的杂志，如磷元素，这时就会形成了N型半导体。P型掺杂区和N型掺杂区相互触碰的区域就会形成P-N结!

P-N结具备单向导通、反向饱和漏电或击穿导体的特点，这其实就是正向导通，反向截止。没错，当我们在P-N结的两边接上金属引脚，用些特殊的材料将这块P-N结封装起来，于是就有了我们常见的元器件——二极管。

一样是一块硅基片，如果我们在一端掺加小量的杂质硼元素，正中间掺入小量的杂质磷元素，再在另一端掺入小量的杂质硼元素，这时就会形成了两个相邻的背对背排列的P-N结，双极结型三极管(BJT)由此问世。

假如制作掺杂的时候下两边形成的是N型半导体，正中间形成的是P型半导体，那么这一个双极结型三极管就是NPN型的。

我们在掺杂的过程中，会让中间区域很薄，这一个区域就称作基区，两边的区域掺杂的浓度不一样，而且占地也不一样，浓度高的，占地很小的称作发射区，浓度低的，占地很大的称作集电区。

从这三个区域引出电级，因此就有了基极b，发射极e，集电结c。

接下去看一下NPN三极管的电路符号，留意箭头符号是朝外的。

PNP三极管的电路符号，箭头符号是朝向里面的。

发射极上的箭头表示的是发射结加正偏电压时，发射极电流的实际方向。

许多新手非常容易弄错这两个电路符号，不清楚如何辨别，前面我跟小伙伴们提起过两个英语单词，其首写字母为P，N。P是正，N是负，那么针对NPN，P在中间，N在两侧，意思是说，正中间是正级，两侧是负级，那么电流毋庸置疑是从正极流入负极，箭头当然朝外。

一样，PNP三极管，负在中间，正就在两侧，从正极流入负极，那箭头当然是刘入里面。

三极管的类型有很多，要是按照半导体材料来分，有硅管和锗管;按照工作频率来分，有低频管和高频管;依照功率来分，有小功率管，中功率管和大功率管;依照 功能来分，分成开关管，功率管，达林顿管 ，光敏管等。

我们普遍的NPN三极管有：8050、9013、9014、9018 、C1815、D882 、TIP41 、3DD1 5、2N3055、2N3773等;

普遍的PNP三极管有：8550、9012 、9015、B772、TIP42 、2N5884等。

其中，像8050、8550、9013、9012 等这类TO-92 封裝的三极管是小功率三极管。

D882 、B772、TIP41 、TIP42 等是中功率三极管。

3DD15、2N3055、2N3773、2N5884 等这类金封铁帽的三极管是大功率三极管。

以上都是直插型的三极管，目前普遍的还有这种SOT-23 封裝的贴片三极管。

我们国家生产制造的三极管有一套命名规则，一起来了解一下：

第一部分的3表示为三极管。

第二部分表示电子元器件的原料和构造，A：PNP型锗原料 B：NPN型锗原料 C：PNP型硅材料 D：NPN型硅材料。

第三部分表示作用，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。

如：3DG6是高频小功率硅管，3AX31是低频小功率锗管，3DD15归是低频大功率的硅管。