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一些常见的储存器知识 快跟小编来看看吧

2020-08-20 16:16:57 来源:CSDN 点击:2450

RAM

Random-Access-Memory,随机存储存储器,既能读取又能写入,一般分成SRAM和DRAM两种类型,也就是静态随机存储器和动态随机存储器,了解静态和动态关键反映是不是必须刷新,一般动态随机存储器必须刷新,不然数据信息将会遗失;静态随机存储器的效率更好,但是它的成本费较高,一般将静态随机存储器作为高速缓冲存储器使用。

PSRAM

Pseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,它的内部和动态随机存储器类似,插口和静态随机存储器类似,具备自动刷新功能,不用外界刷新。而伪随机存储器的成本费在静态随机存储器和动态随机存储器之间。

单\双端口RAM

单端口RAM同一时间,只能完成读取或写入一个动作,而双端口RAM存有两个单独的地址、数据信息、读写能力操纵等,能够同时开展两个操作,为防止造成冲突,存在一定的仲裁操纵,成本费比单端口RAM更贵一些。伪双口RAM是仅有两个访问接口,一个端口只进行读取,另一个端口进行写入。

ROM

Read-Only-Memory,只读存储器,一般应用时一次写好,应用时只能开展读取操作,而不可以开展写入操作。

CACHE

高速缓冲存储器——K4T51163QI-HCF7,因为储存器DDR/DRAM等相对于处理器打开速度比较慢,提升的一级缓存储空间,当需要处理器浏览内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器浏览cache速率较快;但另外也必须提升解决DDR和CACHE中数据库同步、更换等难题。

TCM

Tightly-Coupled-Memory紧密耦合的存储器,就是指和处理器连接密不可分,基本上能够看作和CACHE同一级别连接的存储空间,紧密耦合的存储器的存储空间的内容不会像CACHE解决一样常常更换。

EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器,断电非易失的存储芯片,在独特高电压方式下能够进行插写,一般方式下只读ROM。

FLASH

闪存芯片,和EEPROM一样可擦掉可重新写过,区别EEPROM一直按字节操作,FLASH能够依照字节块擦掉。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash能够依照字节读取,而NandFlash只有按块读取,FLASH和NandFlash一样能够依照字节块擦掉。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、充电线,成本费比Nand-Flash更高一些,并且Nor-Flash可擦写频次小于NandFlash一般嵌入系统软件中刚boot需要初始化的编码必须置放在Nor-Flash中。

针对FLASH的读取总线能够有I2C、SPI串行型,还可以选用并行Parallel;一样的Flash能够和处理器集成化在一起或者根据总线外界浏览。

eMMC

embedded multi media card,集成化了NandFlash和操纵一部分的集成电路芯片,提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的应用插口。

电脑硬盘

传统式电脑硬盘选用磁原材料做为移动存储解释,固态硬盘应用FLASH,网站打开速度性能会更好。

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