RAM

Random-Access-Memory,随机存储存储器，既能读取又能写入，一般分成SRAM和DRAM两种类型，也就是静态随机存储器和动态随机存储器，了解静态和动态关键反映是不是必须刷新，一般动态随机存储器必须刷新，不然数据信息将会遗失;静态随机存储器的效率更好，但是它的成本费较高，一般将静态随机存储器作为高速缓冲存储器使用。

PSRAM

Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，它的内部和动态随机存储器类似，插口和静态随机存储器类似，具备自动刷新功能，不用外界刷新。而伪随机存储器的成本费在静态随机存储器和动态随机存储器之间。

单\双端口RAM

单端口RAM同一时间，只能完成读取或写入一个动作，而双端口RAM存有两个单独的地址、数据信息、读写能力操纵等，能够同时开展两个操作，为防止造成冲突，存在一定的仲裁操纵，成本费比单端口RAM更贵一些。伪双口RAM是仅有两个访问接口，一个端口只进行读取，另一个端口进行写入。

ROM

Read-Only-Memory,只读存储器，一般应用时一次写好，应用时只能开展读取操作，而不可以开展写入操作。

CACHE

高速缓冲存储器——K4T51163QI-HCF7，因为储存器DDR/DRAM等相对于处理器打开速度比较慢，提升的一级缓存储空间，当需要处理器浏览内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器浏览cache速率较快;但另外也必须提升解决DDR和CACHE中数据库同步、更换等难题。

TCM

Tightly-Coupled-Memory紧密耦合的存储器，就是指和处理器连接密不可分,基本上能够看作和CACHE同一级别连接的存储空间，紧密耦合的存储器的存储空间的内容不会像CACHE解决一样常常更换。

EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，断电非易失的存储芯片，在独特高电压方式下能够进行插写，一般方式下只读ROM。

FLASH

闪存芯片，和EEPROM一样可擦掉可重新写过，区别EEPROM一直按字节操作，FLASH能够依照字节块擦掉。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash能够依照字节读取，而NandFlash只有按块读取，FLASH和NandFlash一样能够依照字节块擦掉。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、充电线，成本费比Nand-Flash更高一些，并且Nor-Flash可擦写频次小于NandFlash一般嵌入系统软件中刚boot需要初始化的编码必须置放在Nor-Flash中。

针对FLASH的读取总线能够有I2C、SPI串行型，还可以选用并行Parallel;一样的Flash能够和处理器集成化在一起或者根据总线外界浏览。

eMMC

embedded multi media card，集成化了NandFlash和操纵一部分的集成电路芯片，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的应用插口。

电脑硬盘

传统式电脑硬盘选用磁原材料做为移动存储解释，固态硬盘应用FLASH，网站打开速度性能会更好。