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贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 为各类电源应用提供更好的支持
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贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 为各类电源应用提供更好的支持

2022-06-10 17:08:38 来源:贸泽电子

【哔哥哔特导读】2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。

2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品,此第四代器件具有出色的导通电阻特性,适用于主流800V总线架构中的电源解决方案,如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。

贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET  为各类电源应用提供更好的支持

贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项。1200 V SiC FET的导通电阻 (RDS(on)) 值为23mΩ至70mΩ,可采用三引线TO-247-3L封装或四引线TO-247-4L封装。TO-247-4L封装采用开尔文栅极,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。

UF4C/SC系列所有器件都可以用标准的0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动,从而在不改变栅极驱动电压的情况下,成为硅IGBT、FET或超级结器件的合适替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括:通过真正的5V阈值电压保持良好的阈值噪声容限、出色的反向恢复特性和内置ESD栅极保护箝位。

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