MOV芯片在AC工况下击穿机理探讨
2024-03-07 10:10:43
来源：半导体器件应用网
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MOV电阻主要由锌、铋、锑、钴、锰、镍等氧化物材料及银玻璃等微量掺杂料组成。
通俗的讲，MOV是由多个六边形多晶体组成，每个晶体又由晶界层包裹着尖晶石，晶界层由鉍、锑等富铋相高阻材料组成，而尖晶石是由氧化锌为主的低阻材料制成，在电场作用下，高阻层(晶界层)被打通，晶体形成导通状态。MOV芯片晶界层的厚薄决定了单个晶体导通电压的高低，同理晶界层相互叠加也可以提高导通电压。所以增加厚度就是增加晶体的叠加数，提高导通电压。
受材料均勻性和工艺影响，MOV芯片制造中多晶体的发育不可能完全一样，有大有小，不排除有缺陷的晶体存在。
MOV多晶体结构的半导体与单晶结构的半导体在荷电状态下其击穿损坏机理完全不同。
MOV单晶结构的半导体具有方向性，一旦击穿，呈现直接短路，击穿过程没有延时现象，如各种晶体管，集成电路。
而多晶体半导体其击穿过程是渐进式，MOV电阻的高阻层包裹着低阻层的结构决定了晶体无方向性，任意方向电场均可击穿MOV电阻的高阻层，而首先被击穿是单个承受功率比较小，或是发育不良的晶体，由于叠加晶体个数减少，剩余晶体需承受更大功率，周而复始，形成击穿，所以多晶体结构半导体击穿是有延时，晶体击穿烧毁后会形成炭化物，形成残阻存在，而炭化物继续向周边导电，MOV芯片周边晶体被连续击穿!
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