最近一周，多家大厂发布半导体新品。例如，国外厂商瑞萨电子推出了100V大功率N沟道MOSFET，国内厂商极海半导体和先楫半导体也在MCU领域取得了产品最新进展。

01| 极海半导体：实时控制MCU G32R501

　　近期，极海宣布正式推出首款基于Arm® Cortex®-M52双核架构的实时控制MCU——G32R501。该系列新品基于40nm先进工艺制程，支持双内核高效协同，集成高性能感知、丰富控制外设和灵活外设互联系统，是面向新能源逆变器、工业自动化、商业电源、新能源汽车等场景中高端应用研发的高性能实时控制MCU产品。

图源：极海官方

　　产品特性与优势：

　　1) 采用最新Arm v8.1-M架构设计的Arm^® Cortex^®-M52双核CPU，支持同构双核并行工作，工作主频高达250MHz，实时算力可媲美800MHz的Cortex-M7内核产品;

　　2) 内置单/双精度浮点运算单元(FPU)，支持Arm Helium^TM 技术，

　　3) 通过支持自定义数据通路CDE接口，可扩展极海自主研发的紫电数学指令扩展单元，大幅缩短数学计算时间、降低CPU访问延时;

　　4) 内置128KB SRAM，支持紧耦合存储器(TCM)以存储实时控制核心代码，从而显著提升运行效率;

　　5) 拥有6通道DMA模块，有助于减轻CPU负担，实现更高效数据传输;

　　6) 内部集成了3个12 位ADC(3.45MSPS 采样率)、7个12位参考DAC的比较器、4个Σ-Δ滤波器模块(SDF)等来优化信号采集;

　　7) 双代码安全(DCS)功能与安全增强功能，确保稳定运行。

　　应用领域：

　　1) 新能源逆变器(微型逆变器、光伏优化器、户储逆变器);

　　2) 新能源汽车(车载充电机、直流充电桩、车载压缩机);

　　3) 商业电源(服务器电源、通信电源、UPS);

　　4) 工业自动化(伺服控制器、机器人、变频器)。

图源：极海官方

02|先楫半导体：高性能MCU产品——HPM6E8Y

　　近期，中国高性能微控制器产品及嵌入式解决方案提供商上海先楫半导体科技有限公司发布了专注于机器人运动与控制的高性能MCU产品——HPM6E8Y系列，为火热的机器人市场注入新的活力。

图源：“先楫半导体”公众号

　　性能特点：

　　1) 内置RISC-V双核，集成2个以太网PHY收发器，主频高达600MHz;

　　2) 高达 2MB SRAM，4MB FLASH， 4Kb OTP;

　　3) 千兆以太网交换机，支持TSN，3个外部端口+1个内部端口;

　　4) EtherCAT Slave控制器、1个千兆以太网MAC控制器与2个100Mbps以太网PHY

　　5) 32通道高分辨率PWM控制器，4个增量式和绝对值位置传感器接口;

　　6) 串行编码器输入/输出：支持多摩川，BISS-C，ENDAT等

　　7) 8个CAN-FD接口、4个16b SAR ADC、2个4通道ΣΔ滤波器、

　　8) 工作温度：-40 ~ 105˚C TA

图源：“先楫半导体”公众号

　　应用优势：

　　1) 内置的SOC高速总线扩展EtherCAT从站控制器，提供卓越的通信数据带宽，确保数据传输的高效与流畅;

　　2) HPM6E8Y系列MCU芯片在提供小尺寸封装的同时，片上集成了各类模拟数字接口，甚至集成了通讯接口的Ethernet PHY物理层收发器，可以有效减少外部器件使用，减小PCB尺寸;

　　3) 内置的100ps的高分辨率PWM模块、集高速转换和高分辨率于一体的16位ADC以及高速比较器等，为运动控制的执行和感知提供坚实的保障;

　　4) 高达600 MHz的主频，能达到3390 CoreMark™的基准测试分数，同时还具备1710 DMIPS的处理能力，高算力与低功耗并行。

03|英飞凌：670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7

　　近日，英飞凌推出670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7，该器件带反并联二极管TO-247-3大爬电距离和电气间隙封装。

图源：“英飞凌工业半导体”公众号

　　产品型号：

　　IKW30N67PR7

　　IKW40N67PR7

　　IKW50N67PR7

　　IKW60N67PR7

　　IKW70N67PR7

　　产品优势：

　　1) 改进EMI性能，降低dv/dt

　　2) 极低V_CEsat=1.4V(典型值)，25°C时

　　3) 更高的VCE=670V

　　4) 高爬电距离和间隙距离

　　5) 正温度系数V_CEsat

　　应用价值：

　　1) 更好的抗电磁干扰性能

　　2) 高开关频率下性能出色

　　3) 设计更灵活

　　4) 改进隔离性能，实现高可靠性

　　5) 容易并联

　　该器件在家用空调、商用空调、住宅暖通空调以及商业暖通空调等产品可得到广泛应用。

04|瑞萨电子：100V大功率N沟道MOSFET

　　近日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET：RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，该器件能为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。

　　该器件将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源(UPS)等多个领域。

图源：瑞萨电子官网

　　产品特点：

　　1) 全新MOSFET晶圆制造工艺(REXFET-1)使新产品的导通电阻(MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻)大幅降低30%;

　　2) 更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗;

　　3) REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性(向栅极施加电压所需的电荷量)降低10%，Qgd(在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量)减少40%;

　　4) 采用行业标准TOLL和TOLG封装，与其它制造商的器件引脚兼容，且封装尺寸比传统TO-263封装小50%;

　　5) TOLL封装还具备wettable flanks，便于光学检测。