在当今快速发展的电子技术领域，高效能、高可靠性的功率半导体器件和模块正成为推动工业、汽车及太空应用的关键因素。

近期，多家领先的半导体公司推出了创新产品，旨在提升功率效率、简化设计流程并增强系统的可靠性。

Power Integrations：HiperLCS™-2芯片组，输出功率翻倍

新款HiperLCS™-2芯片组采用更高级的半桥开关技术和创新封装，可提供高达1650W的连续输出功率，效率超过98%。该产品系列的这一新品主要面向工业电源以及电动踏板车和户外电动工具的充电器。

图/ Power Integrations

产品特点：

• 其高效率和高集成度可减少外壳体积，无需再设计通风口和风扇，从而提高可靠性和防尘防潮性能。
• 在50W及更高功率的应用当中，可将半桥LLC谐振功率变换器的元件数目和电路板面积减少30%至60%。
• 采用新型高效散热的POWeDIP™封装，将连续功率提高到1.6kW以上，并允许2.5kW的短时峰值负载。
• 该封装含有一个电气绝缘的陶瓷材料导热垫，易于安装到任何平坦的散热器表面。
• 它为封装引脚提供了足够的爬电距离，使整体温升性能达到每瓦不到1摄氏度。

芯片组中的初级侧HiperLCS2-HB器件采用半桥结构，集成了600V的FREDFET。自偏置供电和启动控制能够在不使用外部偏置电源的情况下确保正常工作，从而降低系统成本和复杂性。

芯片组中的配套芯片HiperLCS2-SR则集成了次级侧主控制器，可提供优化的同步整流(SR)控制，从而降低输出整流损耗。它还内置有FluxLink™隔离机制，可为初级侧IC提供稳定、高速的反馈，进而无需使用速度慢且不可靠的光耦器。

该IC可实现多种突发工作模式的控制，确保出色的轻载和空载性能，同时消除音频噪声并降低输出纹波。为了确保高可靠性，该IC还提供了非常完善的故障保护功能。

英飞凌：耐辐射的60 V P沟道MOSFET

英飞凌推出首款P沟道器件，扩展面向太空应用的耐辐射功率MOSFET产品组合。新型60 V P沟道MOSFET补充了现有的60 V和150 V N沟道器件。

图/英飞凌

产品特点：

• 均采用塑料封装，成本低于抗辐射器件中使用的传统密封封装，并且可以使用标准制造实践进行大批量生产。
• 根据AEC-Q101标准的相关测试，耐辐射分立器件可用于空间应用。除气和盐雾测试，作为认证的一部分，SEE额定值为46 MeV∙cm²/mg LET，TID为30至50 krad (Si)。
• 额定工作温度为-55 °C至175 °C(最大值)。
• 最先进的技术，如用于N 沟道 MOSFET的专利 CoolMOS™ 超结技术，使英飞凌的FET能够提供与其他解决方案相比的快速开关能力。

瑞能半导体：WeenPACK-B系列，覆盖100kW

WeenPACK-B产品系列是一款专为逆变器与变流器设计的高效功率模块，可覆盖最大功率100kW的应用场景。包括工规和车规认证的多种配置和拓扑产品类型，可应用于工业及汽车等多种终端应用，支持高集成度安装，便于快速简易装配。拥有WeenPACK-B1和WeenPACK-B2两种封装规格。

图/瑞能半导体

产品特征及配置：

• 引脚特征：采用模块化标准孔间距设计，同封装共用模具;封装形式经典，可兼容市场主流模块产品;出针顺序可按需订制
• 塑料外壳：可根据应用温度和CTI指数按需订制
• 散热器安装耳：考虑应力释放的弹片式设计;可提供持续稳定的压紧力 ;螺丝腰孔消除横向应力
• 可预涂导热硅脂：简化模块装配流程，超高导热率;采用相变材料，经过应用测试
• DBC 底面覆面层：材质，厚度，镀层，均可支持定制
• DBC 顶面铜层：厚度，镀层均可定制
• DBC绝缘材料：陶瓷材料选项: Al2O3 / AlN / ZrO2 / Si3N4 ;绝缘层厚度可定制
• 可选引脚类型：蛇形一体焊接针，焊接型组合针，Press-fit型组合针，引脚镀层可定制
• Press-fit型组合针：瑞能对所选用的Press-fit针型做过全面评估，包含应力仿真和实验室测试;测试项目包括压入力，拔出力，可插拔次数，可靠性，可焊性等