在电力电子领域，技术创新正不断推动系统性能的提升和成本的优化。

英飞凌、PI(Power Integrations)和安森美等领先企业近期推出的新一代产品，展示了在功率模块方面的突破性进展。

英飞凌：

高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

英飞凌新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案，适用于叉车、LEV、电池分断器、高功率应用、电机驱动器等领域。

图/英飞凌

• 产品特点

英飞凌SOI技术

最大耐压电压+650V

输出源/灌电流+4A/-4A

最大供电电压为25V

集成超快、低RDS(ON)自举二极管

负VS瞬态抗扰度为100V

过流和欠压检测

多功能RCIN/故障/启用(RFE)，故障清除时间可编程

传播延迟小于100ns

DSO-8封装

符合标准RoHS

• 应用价值

无闩锁

负VS瞬态抗扰度为100V

高压尖峰抗扰度

强大的输出功率水平

功能集成在单一器件中

电压和电流监控

• 竞争优势

系统可靠性高

易于设计的产品

降低系统成本

系统故障保护

Power Integrations：

集成离线式开关IC TinySwitch™-5

Power Integrations新推出的TinySwitch™-5，将广受欢迎的集成离线式开关IC产品系列的输出功率扩展至175W。采用简单的二极管整流和光耦器反馈，效率高达92%。

图/PI

TinySwitch-5开关IC具有先进的控制引擎，可自动调整开关频率和功率输出，即使在轻载情况下也能最大限度地提高效率。

满足欧盟委员会能源相关产品(ErP)指令2009/125/EC规定的300mW轻载功耗限值，同时仍能提供高达220mW的输出功率。

耐热增强型封装意味着TinySwitch-5 IC无需散热片即可提供高达75W的输出功率，而输入欠压和过压保护则确保了在市电电压不稳定国家和地区使用时的耐用性。

安森美：

基于SiC的智能功率模块

安森美推出其第一代基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM，提供从40A到70A的多种额定电流。非常适用于三相变频驱动应用。

图/安森美

通过改用EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。

例如，与使用当前IGBT功率集成模块(PIM)的系统解决方案相比，在70%负载时的功率损耗为500W，而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和成本降低52%。

全集成的EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路(LVIC)、六个EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器(电压温度传感器(VTS)或热敏电阻)。

该模块基于业界领先的 M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用SPM 31封装提高短路耐受时间(SCWT)，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。

此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：

▷低损耗、额定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。

▷内置欠压保护(UVP)，防止电压过低时损坏设备。

▷作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同 PCB 板的同时选择不同的额定电流。

▷获得UL认证，符合国家和国际安全标准

▷单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。▷简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于：

• 栅极驱动器控制和保护
• 内置自举二极管(BSD)和自举电阻(BSR)
• 为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管
• 集成温度传感器(由LVIC和/或热敏电阻输出VTS)
• 内置高速高压集成电路