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拆解变频器电源驱动板,元器件选型如何?

2026-01-19 09:01:07 来源:半导体器件应用网 作者:王奕凯

Big-Bit拆解上一期拆解了众辰Z8400-2R2G变频器产品,并分析了其内部的显示按键板和主控板两块电路板的半导体元器件构成。

本期Big-Bit拆解将继续分析变频器产品剩下两块电路板——开关电源驱动板和电机驱动控制板。

众辰变频器产品拆解

先来看电源驱动板。量得板子的尺寸为119.0mm×159.8mm,与一台Kindle Paperwhite(125mm × 174mm)大小相近。

电路板

电路板

这块变频器产品的板子已知半导体元器件如下(圈出的空白部分是拆解过程中脱落的MOS所在位置):4个光耦半导体元器件、3个霍尔效应电流传感器半导体元器件、6个光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器半导体元器件、1运算放大器半导体元器件、9个整流二极管半导体元器件、1个功率继电器、1个MOSFET半导体元器件、1个电流模式PWM 控制器半导体元器件、1个三端可调精密并联稳压器半导体元器件、7个IGBT半导体元器件、1个整流桥半导体元器件。

电路板

电路板

变频器产品的4个光耦半导体元器件都是来自亿光电子的EL357N(C)(TA)-G。

芯片

EL357N是一款 4 引脚 SOP 封装的通用晶体管光耦。其关键参数包括 3750Vrms 的高隔离电压、80V 的集电极-发射极耐压,以及 50%-600% 的电流传输比(CTR)。它主要发挥电气隔离与信号反馈功能,用于电源监控等低速逻辑回路,确保高压侧与低压控制侧的可靠隔离,提升系统安全性。

技术手册

变频器产品的3个霍尔效应电流传感器半导体元器件是来自成都芯进电子的CC6937S8-3FB005。

芯片

CC6937S8高精度霍尔电流传感器半导体元器件在变频器驱动板上,其关键参数为5A额定电流范围、400mV/A灵敏度及2500Vrms隔离电压。主要用于电机的相电流检测,通过霍尔效应将电流转为模拟电压信号提供给 MCU,实现精确的矢量控制及过流保护功能。

技术手册

变频器产品的6个光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器半导体元器件都是来自川士微的CA-IS3211VCJ。

芯片

在变频器驱动板上,其关键参数为 5kVrms隔离耐压、4A/6A峰值拉灌电流驱动能力及 150V/ns的超高共模瞬态抑制(CMTI)。它主要负责将 MCU 的低压控制信号转换为足以驱动 IGBT 或 MOSFET 开关的高压大电流脉冲,在实现功率级与控制级安全隔离的同时,确保功率器件高速可靠地切换。

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变频器产品的运算放大器半导体元器件由于除胶剂腐蚀已拍不清丝印,但除胶前已查到这款运算放大器半导体元器件是来自德州仪器的TL084I。

芯片

TL084在电源驱动板上常用于闭环反馈与保护。凭借20V/μs压摆率和±18V宽电压支持,它能实时监测输出电压脉动并精确放大信号。其核心功能是实现多路输出的稳压控制(PWM调节)及快速过载报警,确保电源供电的绝对稳定。

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变频器产品的整流二极管半导体元器件是来自安美半导体的HS1G。

技术手册

HS1M 系列高效率快恢复二极管关键参数如下:1000V高反向耐压(HS1M)、1A平均电流、75ns超快恢复时间。在开关电源驱动板上负责高频整流与续流。在反激电路原边充当RCD吸收回路的钳位二极管,吸收开关管关断瞬间的尖峰电压;或在次级输出端进行高频整流,将高频脉冲转化为稳定的直流电,保护功率管不被击穿。

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变频器产品的功率继电器半导体元器件是来自宏发电子的HF115F。

器件

这款功率继电器半导体元器件关键参数如下:16A大电流切换能力、5kV线圈触点间介电强度、10mm爬电距离。在开关电源电源驱动板上主要用于软启动(缓冲)电路。在变频器上电初期,它负责旁路限流电阻,使直流母线平压后切入主回路;同时实现低压控制电路对高压强电的物理隔离与联锁,确保启动安全。

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变频器产品的MOSFET半导体元器件是来自安森美的NDTL03N150CG。

芯片

这款NDTL03N150C高压功率MOSFET半导体元器件关键参数如下1500V 超高耐压、2.5A 电流、10.5Ω导通电阻。其极高的 VDSS保证了在母线电压波动和瞬态尖峰下的安全性。

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变频器产品的三端可调精密并联稳压器半导体元器件是来自美台半导体的AZ431-A。

芯片

这款三端可调精密并联稳压器芯片的关键参数如下:2.5V 基准电压(精度高达 0.4%)、36V 输出耐压、1mA-100mA 吸收电流能力,且具有极低温度漂移。它是反馈环路的“电压标尺”。配合光耦使用,通过 REF 端 实时采样输出电压并与内部基准对比,精准控制 PWM 脉宽,从而确保电源在负载波动时仍能输出极其稳定的直流电压。

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变频器产品的电流模式 PWM 控制器半导体元器件是来自通嘉科技的LD7552BPS。

芯片

LD7552B 绿色模式 PWM 控制器关键参数如下:<20µA 超低启动电流、500mA 驱动能力、支持 OVP/OLP 硬件保护,且频率可调。它是电源板的控制大脑。负责通过 PWM 信号驱动高压 MOSFET 开关,根据反馈信号精准调节占空比;同时集成绿色模式技术,在变频器待机或轻载时显著降低功耗,并提供过压及过载保护。

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变频器产品的整流桥是来自乐山希尔电子的ST3516。

器件

这款ST3516 三相玻璃钝化整流桥关键参数如下:35A 正向平均电流、1600V 反向重复峰值电压、400A 高浪涌电流承受能力。它负责将输入的三相交流电(AC)通过整流转变为直流电(DC),是变频器主回路供电的核心,其1600V的高耐压特性能够确保在电网波动或瞬态冲击下,依然能稳定地为后续的直流母线及开关电源提供能量。

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变频器产品的IGBT有两种不同的型号,都是来自佳恩半导体。一种为JNG15N120HS2。

芯片

JNG15N120HS2高速场截止型IGBT在变频器电路中,是执行功率变换的“强力开关”,关键参数如下:1200V 高耐压、15A 持续工作电流、2.2V 低饱和压降。其作用是负责变频器逆变桥的高频开关切换。它将直流母线电压调制成可变频、可变压的交流电以驱动电机;凭借其低损耗和高速开关特性,能显著提高系统效率并减少发热,是主回路功率输出的核心元器件。

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另一种的型号是JNG25T120HS。

芯片

这款IGBT的关键参数如下:1200V高耐压、25A持续工作电流(100℃以下)、2.0V 极低饱和压降,且具备10μs的短路耐受能力。主要用于变频器逆变桥的大功率开关切换。负责将直流母线电压调制成驱动电机所需的交流电。

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再看这块变频器产品的电机驱动控制板。量得其直径为28.2mm。

电路板

这颗变频器产品的驱动IC是来自芯进电子的CC6402。

芯片

CC6402是一款单线圈智能风扇驱动芯片 。它集成了高灵敏度霍尔传感器和 450mA强力驱动全桥 ,关键参数如下:2mA 低功耗及40V瞬态耐压。核心功能是提供自启动堵转保护,防止风扇卡死烧毁,确保变频器散热系统在极端环境下的高可靠性。

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Big-Bit拆解总结

承接上期对主控与显示板块的分析,本期拆解进一步分析了众辰 Z8400-2R2G变频器产品在电源驱动板与电机驱动控制板上的电路方案设计。

透过这两块电路板不仅能看到国产元器件的崛起,更能通过其布线与选型窥见其严谨的能量变换逻辑。

开关电源驱动板是变频器产品的心脏与血管,承担着将电网电能转化为可控机械能的核心任务。

从能量流向来看,这块变频器产品的驱动板展示了经典的“交-直-交”变换拓扑。输入端,乐山希尔的ST3516整流桥充当了能量的“咽喉”,将三相交流电粗加工为脉动直流。在此过程中,宏发HF115F功率继电器配合限流电阻完成了关键的“软启动”,避免了上电瞬间浪涌电流对直流母线电容的冲击。随后,能量的输出交由佳恩半导体的IGBT阵列负责,在川士微隔离驱动器的指挥下,这些IGBT将直流电高频斩波,还原为频率电压可调的交流电,驱动电机运转。

变频器产品的驱动板上密集的HS1G整流二极管是构建反激式开关电源不可或缺的元器件。在电源原边,部分二极管与阻容元件构成了RCD钳位吸收电路。当MOSFET关断时,变压器漏感会产生极高的尖峰电压,这些二极管负责将尖峰能量吸收钳位,防止MOS管过压击穿。 在变压器次级侧,其余的二极管承担了高频整流任务。它们将变压器输出的高频脉冲转化为平滑的直流电,分别为MCU控制板、IGBT驱动电路以及风扇驱动板提供相互隔离且稳定的独立电源。可以说,这些二极管保证了整个控制系统的供电纯净度与电气安全性。

此外,成都芯进的霍尔电流传感器负责实时捕捉输出电流,经由TI的运算放大器调理后反馈给主控;而独立的风扇驱动板则为系统提供了最后一道热保护防线。

元器件清单

综上所述,众辰Z8400-2R2G变频器产品在实现高压功率传输与低压精密控制的物理隔离上做得相当出色。其大量采用国产高性能芯片(如亿光光耦、川士微隔离器、佳恩IGBT等),证明了国产半导体元器件在工业变频领域已经初步具备了从“能用”到“好用”的替代能力。

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