中国穷学生发明新晶体管技术震惊世界
2008-05-16 11:56:31
来源：半导体器件应用网
国外媒体报道，美国伦斯勒理工学院中国博士生Weixiao Huang发明了一种新的晶体管技术，有望取代高功率和高温电导特性的硅晶体管，目前已经引起了美国和日本一些大汽车公司的注意。
Huang出身低微，是中国乡下一位农民的儿子，2001年毕业于北京大学，2003年获伦斯勒理工学院硕士学位，这两天将拿到伦斯勒理工学院博士学位。
一些基于镓的材料具有某些极其出色的电气特性，远远优于硅，但是要制造出晶体管来比较困难，Huang开发出了一种使用镓氮化物（GaN）混合材料的新晶体管，它具有非常好的物理属性，可以大大降低功耗，改善电子系统的效率，也能够工作在高温、大功率乃至产生辐射的严苛环境下，在各种电子设备、汽车动力、家用设备等里面都有广阔的应用前景。
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