韩国三星半导体开发完成32Gb Nand Flash Memony
2006-09-16 13:49:19
来源：半导体器件应用网
根据韩国三星半导体表示，该公司克服35年来之技术，突破结构、物质及设备之限制，已研发完成新概念CTF（Charge Trap Flash）之Nand技术，该技术可用于40奈米之32Gb Nand Flash，预定于2008年量产，足可供该公司未来十年需求。
该公司说明，40耐米工程为超微米技术，其直径约为头发的3000分之1，32Gb内存容量约为世界人口65亿人之5倍，达328亿个记忆元素，其体积仅及大拇指之指甲大小。
此次开发之新技术，系该公司自2001年起着手进行开发，在CTF之基本专利就达155件，为生产50奈米以下Flash Memony之Intel及Toshiba都需付给三星电子权利金。CTF技术使用于量产时，三星半导体工厂将缩减20％以上，并降低生产成本，与竞争对手差距拉大，更具竞争力。
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