新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHzCDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6，并开始样品供货。  

    利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器（LNA: low noise amplifier）。 NJG1127HB6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800MHz的CDMA手机的设有旁通电路的低噪声放大器。  

    NJG1127HB6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了IIP3=+8dBm min.@ f=880MHz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。  

    此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对RF信号进行增幅，NJG1127HB6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流（低增益模式）。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对RF信号进行增幅（高增益模式）。  

    对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。 

　　NJG1127HB6： 

　　① 高线性 IIP3=+8dBm(min.) 高增益模式时 IIP3=+15dBm(min.) 低增益模式时，实现了低失真特性。 
　　②实现了低增益模式时15μA(typ.)的低消耗电流。 
　　③内置控制用逻辑电路，便于进行模式切换 
　　④内置保护元件，实现了人体静电模型法（HBM：Human Body Model)1000V以上的高静电放电（ESD：Electrostatic Discharge）耐压性能。  

    该产品适用于800MHz的CDMA手机的低噪声放大器。  

    产品功能及主要特征  
    ●高ESD耐压 HBM　1000V以上  
    ●低工作电压 +2.8V.  
    ●低切换电压 +1.85V  
    ◎ 高增益模式 
　　　　●高IIP3 +8dBm(min.)@ f=880MHz 
　　　　●微小信号高增益 15dB(typ.) @ f=880MHz 
　　　　●低噪音 1.4dB(typ.) @ f=880MHz  
    ◎ 低增益模式 
　　　　●高IIP3 +15dBm(min.)@ f=880MHz 
　　　　●低消耗电流 15μA(typ.) 
　　　　●小、薄型封装 USB8-B6（封装尺寸 : 1.5 x 1.5 x 0.55mm typ.） 

　　生产计划/样品价格 
　　本公司于2006年11月开始发放NJG1127HB6样品，2007年1月开始正式投入生产，投产后预定月产量为50万只。样品价格为50日元。