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飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
近日，德克萨斯州奥斯汀讯-射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL) 日前推出一种先进的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 控制电路，专门用于优化飞思卡尔 Airfast Doherty 放大器的性能。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组--- TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM，用以支持甚小口径终端 (VSAT) 卫星通信系统的要求。该系列包括可变增益驱动放大器、1 W GaAs 单片微波集成电路 (MMIC) 功率放大器、分谐波上
中国 上海- 2012年10月17 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组--- TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM，用以支持甚小口径终端 (VSAT) 卫星通信系统的要求。该系列包括可变增益驱动放大器、1 W GaAs 单片微波
新日本无线，宽带低噪声，放大器NJG1129MD7 新日本无线(NJR)已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。
2012年7月18日，中国上海讯 — 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统技术相比，能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容，可应用在具有全套无
2012年5月8日，德克萨斯州奥斯汀讯 -飞思卡尔半导体公司(NYSE：FSL)日前宣布，推出一款适用于小型办公室/家庭办公室(SOHO)基站应用的新参考设计，两个高级砷化镓(GaA)单片微波集成电路(MMIC)为其提供部分支持。
Hittite微波公司是在通信及军事市场拥有完整的MMIC解决方案的世界级供应商。该公司最近拓展了其领先业界的锁相环产品线，推出高精度宽带锁相环芯片HMC830LP6GE，工作频率为25MHz—3000MHz，覆盖所有常用的通信频段。
科锐公司日前在巴尔的摩举行的 2011 年IEEE 国际微波研讨会上展出其 2.7~3.5 GHz(S 波段)最新封装 GaN HEMT 功率晶体管与高功率放大器 (HPA) 单片式微波集成电路(MMIC)。
