KLA-Tencor 推出第十代电子束侦测系统，实现 4Xnm 和 3Xnm 生产
2008-07-10 09:18:35
来源：半导体器件应用网
KLA-Tencor 公司今天宣布推出 eS35 电子束侦测系统，该系统能够以大幅提升的速度检测和分类更小的物理缺陷，以及更细微的电子缺陷。eS35 属于 KLA-Tencor 的第十代电子束侦测系统，它具备更高的灵敏度，改善了单机检查和分类，并且显著加强了吞吐能力，以提高 4Xnm 和 3Xnm 设备的良率。
KLA-Tencor 的电子束技术部集团副总裁兼总工程师 Zain Saidin 表示：“电子束侦测对于捕获和发现最小缺陷以及只能通过它们的电子特征检测到的缺陷至关重要。但是，随着晶片厂开始研究 4Xnm 和 3Xnm 节点，他们反映现在的电子束侦测系统无法持续捕获某些缺陷类型——例如 DRAM 中的高纵横比电容底部的微小残留物、先进闪存中的细微位线桥接，或逻辑设备中的表面下短路或管线连接。作为电子束侦测技术的领袖，我们能够利用我们的经验和资源解决此问题，这不仅是通过改进电子束系统本身，而且还通过领先业界的光学侦测系统的专用图像分析计算技术来加以解决。因此，我们开发出了灵敏度和吞吐能力均无可比拟的下一代电子束工具，让晶片厂能够以高灵敏度在线内操作该检测设备。eS35 旨在让我们的客户能够尽可能快速和高效地生产他们的下一代设备。”
eS35 拥有明显更高的电子束电流密度、更小的像素和更快的数据速率，可提高最小缺陷捕获率，且其吞吐能力是上一代系统——业界领先的 eS32 的二至四倍。这些改善得益于更低的噪声基底和先进的算法，从而在整个晶片的每个芯片区获得最大的灵敏度。由于具备更高的灵敏度和业界最广泛的电子束条件和预扫描条件选择，让 eS35 能够在最大的缺陷类型和材料范围内捕获缺陷。
eS35 捕获有代表性的缺陷群之后，新的强化单机检查功能可提供关键缺陷的高解析度图像。基于规则的分类应用程序采用 KLA-Tencor 光学侦测系统中的算法，对缺陷进行高精度和高纯度分类。分类结果被编制成为缺陷帕雷托排列图，缺陷或良率工程师可依据此图来矫正缺陷偏移根源，同时尽量降低对在制品的影响。
eS3x 系列电子束侦测系统广为先进晶片厂所采用，并获得极大成功。KLA-Tencor 在此基础上开发出的 eS35 系统，将提供给亚洲、美国和欧洲的内存和逻辑芯片客户。该系统目前用于 6Xnm 和 5Xnm 设备生产、4Xnm 改善和 3Xnm 开发，捕获前端层和后端层上的各类缺陷。
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