100V 高端/低端 N 沟道高速 MOSFET 驱动器
2008-06-14 10:03:55
来源：半导体器件应用网
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。
这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可提供 3A 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动一个 1000pF 负载时，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。
LTC4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114V 时还可以工作。另外，该器件在 7.2V 至 13.5V 的电压范围内同时驱动高端和低端 MOSFET 栅极。
LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐热增强型 MSOP-8 封装，以 1000 片为单位批量购买，每片价格为 1.69 美元。
性能概要：LTC4446
·高端/低端 N 沟道 MOSFET 驱动器
·最高电源电压为 100V
·非常适用于双晶体管正激式转换器
·高压开关应用
·大驱动电流：在下拉阻抗为 0.55Ω 时提供 3A 电流
·7.2V 至 13.5V 的栅极驱动电压
·高端栅极：驱动 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 5ns
·低端栅极：驱动 1000pF 负载时上升时间为 6ns，下降时间为 3ns
·为栅极驱动电压提供欠压闭锁
·耐热增强型 MSOP-8 封装
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