MOSFET一般指MOS。 MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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本期Big-bit拆解将带来关于某品牌电动车控制器的产品拆解,该控制器采用了上海贝岭的功率MOSFET,让我们来看看它在产品中的作用和优势吧。
凭借耐高压、耐高温和高频等优越的物理特性,SiC-MOSFET有望在新能源汽车800V高压超充时代替代Si IGBT,并在主驱逆变器、充电桩、OBC、DC-DC等应用场景中加速渗透。
瑞森半导体进一步壮大和完善超结(SJ)MOSFET系列,推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势,为国内少有产品型号 ,技术领航市场。
为了应对相应的挑战,英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET器件适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。
4月24日,基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线,其主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等,产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。
经过3年的探索、研发和验证,凌鸥创芯推出了车规MCU芯片产品LKS32AT085,通过了AEC-Q100认证,同系列还包含有集成200V预驱的AT086,以及全集成8个MOSFET的驱动MCU AT089,可为国产汽车同时提供MCU控制芯片以及更多集成功率元件布局的完整汽车MCU芯片供应。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
真茂佳亮相四个系列MOSFET产品方案
关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
英飞凌CIPOS™ Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC发射极开路智能电源模块,采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围,提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。