三星8000万颗瑕疵DRAM被退回 可能流向市场
2008-06-23 10:20:05
来源：半导体器件应用网
据中国台湾媒体报道，继Hynix 66纳米DRAM制造工艺出现问题后，三星的68纳米DRAM日前也曝出问题，导致8000万颗1GB DDR2被客户退回。
今年4月，因Hynix 66纳米工艺良率不高，导致大批1GB DDR2晶圆报废。
日前，三星也曝出同样的问题。有消息称，三星有8000万颗瑕疵1GB DDR2被OEM厂商退回。
对此，下游客户表示出了一丝担心，三星将如何处理这批瑕疵产品呢？如果以较低价格倾销到现货市场，那势必将对该市场价格产生剧烈影响。目前，三星并未给出具体的解决方案。
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