WLP技术+90nm工艺：打造800MHz 2G DDR2内存！
2007-02-08 10:42:34
来源：半导体器件应用网
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Hynix半导体公司开发出2GB DDR2内存模块，运行速度达800MHz，据该公司称，这款产品为行业同类产品中的佼佼者。Hynix表示能利用先进的晶圆级封装技术(WLP)生产用于个人电脑的改良模块。
用WLP技术，裸片和封装在冲切成型前在晶圆上被加工和测试，有别于所有其它类型的封装。安装到印刷电路板或其它衬底上时，封装占据的面积就是裸片大小。
Hynix称，WLP技术可减少20%以上的制造成本。该公司还补充说，新模块工作非常稳定，发热、速度和功率特性得到改进，适合用于需要较高数据传输的器件。Hynix声称其DDR2无需通常与其它元件相连所需的引脚，从而减少了信号延迟，增加了运行速度。
此外，由于满足Jedec固态技术协会的标准，该内存模块的元件能被用于当前商用存储模块。
这款2GB DDR2基于90纳米工艺技术。该公司一位发言人表示：“WLP技术还将用于60纳米1Gb DDR2 DRAM。”Hynix上月透露将开发60纳米1GB DDR2 DRAM芯片，该公司表示将继续增强60纳米工艺，将来用于高密度DRAM元件和高性能产品如图形和移动DRAM。
Hynix是经过英特尔1GB DDR2 DRAM元件验证的首个DRAM供应商。据称采用该元件的模块目前正在接受评测。
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