东芝、SanDisk强强联手，发力56纳米NAND闪存市场
2007-02-07 09:53:37
来源：半导体器件应用网
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SanDisk公司近日宣布将开始与东芝合作，在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圆厂Fab3生产56纳米多层单元闪存。
SanDisk和东芝原本是想推出52纳米NAND产品的，但由于该技术的复杂性，转向了56纳米技术。
在测试通过了几款样品后，SanDisk将于接下来的几周时间里推出采用56纳米制程技术的新型8G单芯片MLC NAND闪存，而正式供货则将从本季度晚期开始。在第二季度，SanDisk则将推出单片16GNAND——业界密度最大的单芯片MLC NAND闪存。另外SanDisk还销售基于这一技术的闪存卡。
东芝Fab3所生产的产品是由SanDisk和东芝平分的。这款新的56纳米闪存最初也将在Fab3开始生产，这是SanDisk和东芝在2005年建立的第一个300mm晶圆厂。
到今年年底，SanDisk和东芝合建的另一家300mm晶圆厂Flash Alliance公司也将开始生产56纳米闪存设备。
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