三星推出高速GDDR4显存芯片 速度可达4Gbps
2007-02-24 14:49:30
来源：半导体器件应用网
2月24日消息，据国外媒体报道，三星电子公司正在采用一种更先进的生产方法，以推动图形内存芯片达到更高速度。
全球最大芯片制造商之一的三星公司周五称，公司已设法使GDDR4(graphics double data rate 4)内存芯片的运行速度达到4Gbps。三星称，新芯片的速度要比现在最快的GDDR4芯片增加了三分之二，现在最快的GDDR4的时钟频率是2.4Gbps。
通过采用80纳米生产技术，三星设法提高了GDDR4芯片的运行速度。一个纳米是一毫米的百万分之一，它是关于芯片表面最小功能尺寸的衡量指标。如果其尺寸能够变得更小，制造商就能生产出更紧凑、耗电更小和速度更高的芯片。
三星公司第一款GDDR4内存将是512MB芯片。三星将在本月为客户公司提供芯片样本，在今年晚些时候开始进入量产。
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