Micron展示25nm NAND闪存开发成绩，宣称重获该市场技术领导地位
2007-02-25 12:47:03
来源：半导体器件应用网
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近段时间，对于存储器价格下跌、库存水平不断上升的担忧在业内广泛存在。
Micron Technology Corp.（美光科技）选择在这一时候宣布公司25nm NAND闪存的开发已取得较大进展，重新获得了在该市场的技术领导地位。
Micro公司的总裁、首席执行官兼董事会主席Steve Appleton在近日举行的一个分析师见面会上表示，25nm的NAND结构芯片已在实验室诞生，目前正在进一步开发当中。Micron没有详细透露该器件结构的技术细节，仅展示了一张器件的照片，以证明NAND芯片尺寸缩小的可行性以及Micron并非止步于50nm技术，并表示25nm产品至少将在三年之后才会推出。
目前，Hynix（海力士）、Toshiba（东芝）、Samsung（三星）以及Micron-Intel组合均在NAND领域为自身争夺领导地位。去年，Micron携手其闪存合作伙伴Intel推出了基于50nm工艺的4GB闪存芯片，并藉此声称双方在NAND市场取得了工艺技术的领先地位。
然后就在这一声明发布不久，不甘示弱的三星电子便在九月份开发出业内首个基于40nm设计规程和工艺的32GB NAND闪存芯片，该芯片采用了三星专有的CTF（Charge Trap Flash）构架，以及high-k电介质技术。
如今，NAND闪存这一曾经为厂商带来高昂利润的产品正面临价格下跌的巨大压力，Appleton即表示，NAND市场目前正处于季节性低迷之中。事实上，来自手机等市场的无线芯片的季节性低迷已使包括Freescale、TI、Spansion以及Micron等厂商的业绩受到了影响。
不过尽管如此，Appleton仍认为07年将会是不错的年景，因为“经济状况还很不错”。
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