两岸DRAM产量之和将在2010年之前超过韩国
2007-05-31 09:18:05
来源：半导体器件应用网
台湾和中国大陆的DRAM产量之和将在2010年之前超过韩国。这一预测是由美国iSuppli发表的。预测的根据是：与DRAM厂商众多、产量目前还将继续扩大的台湾和中国大陆相比，韩国的主力厂商仅有三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor），两家公司今后将把生产的重心转向NAND型闪存。
韩国厂商“将把重心转向NAND型闪存”
按地区来看，DRAM金额上的生产比例在2006年韩国为45％、台湾和中国大陆为17％，存在较大差距。据iSuppli的预测，2008年韩国将占46％、台湾和中国大陆占35％，差距将有所缩小。该公司还估计，截至2010年台湾和中国大陆的产量将超过韩国。另外，上述地区产量中包括了各厂商代工生产的部分。比方说，台湾厂商为尔必达内存和德国奇梦达（Qimonda AG）代工生产的DRAM，这一部分将换算为台湾的产量。
iSuppli预测，台湾和中国大陆的生产比例出现增加，是因为受到DRAM价格下跌的影响，三星和海力士将把DRAM的生产能力转向NAND型闪存。iSuppli估计，包括这两家公司在内，著名内存厂商DRAM产品的利润率将于2007年6～7月降至谷底。另一方面，NAND型闪存的价格已于07年1～3月触底，目前正趋于恢复阶段。
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