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一种用于 TFT-LCD 液晶显示的片内门宽调制控制器的设计

2010-12-20 12:02:26 来源:《半导体器件应用》2008年9月刊 点击:1419

1 引言
随着液晶显示技术的迅速发展,由于薄模晶体管有源矩阵液晶显示器(TFT-LCD)具有出色的色彩饱和度、色还原能力和较高的对比度,画质好,响应速度快等优点,使得液晶产品占据了市场,关于液晶方面的研究越来越受关注。
当采用 Common 电压固定的方式来驱动 TFT-LCD 液晶显示设备时,Common 电压的误差会使得正负极性的同一灰阶电压产生误差,在不停切换画面的情况下,正负极性画面的交替,使人感觉到明显的闪烁现象。为了防止这种现象的发生,减小栅驱动器的馈通现象以及栅走线与液晶显示面板的耦合效应[1],通过引入门宽调制控制器电路来解决上述问题。
该设计方法使门宽调制控制器电路的输出下降延时可调,并且下降斜率可调,其输出输入到栅驱动器中,减小了液晶显示的功耗,避免了液晶显示设备的错误显示。采用该门宽调制控制器的基于电流模 PWM 升压型 DC-DC 和可调电荷泵的芯片已在 UMC 0.6μm BCD 工艺线投片,测试结果表明该门宽调制控制器电路工作良好。
2 TFT-LCD 液晶显示驱动拓扑结构
图 1 是 TFT-LCD 液晶显示驱动拓扑结构,DC-DC、电荷泵和门宽调制控制器电路集成于片内,VGH 是可调电荷泵电路产生的电压,作为门宽调制控制器电路的电源;VADD 是 DC-DC 的输出,作为门宽调制控制器电路的输出 VGH-M 的低电平,同时作为电荷泵和栅驱动器的电源。Timing&logic 模块产生使能信号(enable)和时钟信号 VFLK,Enable 使能门宽调制控制器电路。VFLK 为高电平“1”时,门宽调制控制器的输出 VGH-M 为 VGH,栅驱动器打开 TFT-LCD;当 VFLK 为低电平“0”时,VGH-M 为 VADD,栅驱动器关闭 TFT-LCD。
在 TFT-LCD 液晶显示设备中,等效架构如图 1 所示,TFT 管作为选择开关串接在每一个子像素液晶单元的一个电极上,其栅极与行驱动线相连,源极与列驱动线相连。其中行扫描线由栅驱动器电路控制,列驱动线由源驱动器电路控制。当栅驱动器的输出波形中有一行为高电平时,这一行的 TFT 管全部导通,同时源驱动器将准备好的驱动电压通过导通的 TFT 加载到液晶显示电极上,对各像素点的等效电容和存储电容进行充电到相应的灰度等级电压,并由存储电容存储该电压直到下一次 TFT 管打开时才被改变。
2.1 芯片系统构成
芯片系统功能框图如图 2 所示,主要包含升压型 DC-DC、输出可调电荷泵、门宽调制控制器电路。升压型 DC-DC 的输出 VADD 作为栅驱动器、电荷泵的电源,同时作为门宽调制控制器的输出低电平。输出可调电荷泵的输出 VGH,作为门宽调制控制器的电源和输出 VGH-M 的高电平。门宽调制控制器电路,通过延时控制和可调下降斜率,输入到栅驱动器从而驱动 TFT-LCD 液晶显示设备,有效地抑制闪烁现象。
2.2 升压型 DC-DC
图 2 中升压型 DC-DC 主要由基准、振荡器、斜坡补偿、启动和故障控制(包括软启动、欠压锁定、过流保护、过温保护、过压保护等)、误差放大器、PWM 比较器和驱动电路[2] 等主要模块组成。基准模块产生了1.2V,0.8V,0.35V,0.3V 和 0.15V 等 5 种基准电压。芯片的电流峰值限制值为 3A。振荡器的频率为 1MHz。在欠压锁定模块中,当电源电压 VIN 低于 2.0V 时,关断芯片,避免芯片工作在不稳定的模式当中。斜坡补偿模块主要是产生斜坡补偿信号[3],与电感电流采样信号进行叠加,进而与误差放大器产生的信号进行比较得到电感电流峰值检测信号。
反馈电压 VFB 与基准信号 VREF 比较得到差值放大信号 V-EA,电感电流峰值采样信号与斜坡信号叠加后产生信号 Vsigma,V-EA 与 Vsigma 比较得到峰值监测信号,对每个周期信号进行监测。当电感电流在每个周期达到峰值时,电感电流峰值为 ISW,主开关管导通电阻为 RDSON,电感电流峰值限制为 ILIM,则
V-EA=Vsigma=ISWRDSON+mslopeDT(RI-V+Rsense),  0≤ISW≤ILIM       (1)
DC-DC 最大负载电流为:
 ,

             (2)
DC-DC 的输出为:
          (3)
2.3 可调输出电荷泵
图 2 中可调输出电荷泵[4~6] 主要由振荡器、误差放大器EA,Bufferp,Buffern,M1,M2,Cl,C2,D1,D2,  RF3,RF4 等组成,设计中采用饱和区 MOS 管 M2 作为输出调节。反馈网络由反馈电阻 RF3、RF4、误差放大器 EA   组成。开关管 M1 和 M2 由占空比为 50% 的振荡器信号  CLKP,CLKN 控制。误差放大器 EA 的输出为 EAOUT,Buffern 和 CLKN 信号将误差放大器的输出 EAOUT 转化为占空比为 50% 的 Vadj,Vadj 振幅由误差放大器的输出电压控制。
CLKP 和 CLKN 是振荡器产生的时钟信号,时钟周期为 TOSC,幅度为 VIN。对于任意一个 m 时钟周期,当 mTOSC<t<mTOSC+TOSC/2 时,CLKP 为低电平“0”,CLKN 为高电平“1”时,M1 关断,M2 导通,二极管 D1 导通,D2 截止,VADD 开始对泵电容 C1 充电,充电时间为ΔT,充电电流为 I1,C1 两端的电压差为 VC1,饱和区 MOS 管 M2 的导通电阻 RONM2,其大小由 Vadj 控制。

                   (4)

VC1=VOSC/2<t<VD1-I1RONM2                                         (5)
当 mTOSC+TOSC/2<t<mTOSC+TOSC 时,CLKP 为高电平“1”和 CLKN 为低电平“0”时,M1 导通,M2 关断,二极管 D1 截止,D2 导通,泵电容 C1 开始向负载电容 C2 放电,放电电流大小为 I2,放电时间为 ΔT,此时负载电容 C2 上的电压为 VGH,线性区 MOS 管 M1 的导通电阻为 RONM1,其大小由 VIN 决定。

                    (6)

VGH=VADD-VC1-I2RONM1                                            (7)
在泵电容 C1 充电阶段,当 mTOSC<t<mTOSC+ΔT,泵电容 C1 两端的电荷变化量为 |ΔQCl|充电;在泵电容 C1 放电阶段,当 mTOSC+TOSC/2<t<mTOSC+TOSC/2+ΔT,泵电容 C1 两端电荷变化量 |ΔQCl| 放电,在稳定状态,泵电容 C1 两端的电压 VC1 保持恒定,由此可知,   
|ΔQCl|充电=|ΔQC1|放电                       (8)
在稳定状态的时间远大于充电和放电时间 ΔT 时,即
C1RONM2≥NΔT,C1RONMl≥NΔT,N≥10            (9)
    |I1|=|I2|                                     (10)
M1 和 M2 周期性导通,通过对泵电容 C1 的充放电控制,能量从电源电压 VADD 传输到负载电容 C2 上。在任意一个时钟周期,在对泵电容 C1 充电阶段,负载电容 C2 向负载供电;泵电容 C1 放电阶段,向负载电容 C2 充电。在电荷泵闭环负反馈系统中,电荷泵充电能量等于负载消耗能量,使得输出电压 VGH 为一个稳定值。在泵电容 C1 放电阶段,若负载消耗的电流为 Iload,则,
    2ΔTIload=ΔTI2=ΔT|Il|                       (11)
由 (7) 和 (11) 式可得,
VGH=VREF(1+RF3/RF4)=2VADD-VDl-VD2-2Iload(RONMl+RONM2) (12)
饱和区 MOS 管 M2 由振幅受误差放大器控制的振荡信号 Vadj 控制,其导通电阻通过反馈环路来调节。当电源电压或负载电流变化时,由 (12) 式可以看出,通过调节反馈电阻 RF3 和 RF4 的比例,可以改变输出电压 VGH,电荷泵反馈环路通过调节 M2 的导通电阻使得输出电压稳定在一个固定值。
3 门宽调制控制器电路设计
3.1 TFT-LCD 液晶显示闪烁现象和栅驱动器的馈通现象分析
TFT-LCD 液晶显示[7]的显示电压分成了两种极性,一个正极性,另一个负极性,当显示电极的电压高于 Common 电极电压时,显示电压成正极性,而当显示电压低于 Common 电极的电压时,显示电压为负极性。在使用 Common 电压固定的方式来驱动 TFT-LCD 液晶显示设备时,当 Common 电压有一点误差,如图 3 所示,正负极性的同一灰阶电压会产生差别,在不停切换画面时,由于正负极性画面交替出现,就会产生闪烁现象。
馈通电压的产生主要是因为 TFT-LCD 液晶显示面板上其他电压的变化,经由寄生电容或存储电容,影响到显示电极电压的正确性。在 TFT-LCD 面板上主要变化来源有 3 个,分别是:(1) 栅驱动电压的变化;(2) 源驱动电压的变化;(3) Common 电压的变化。图 4 是馈通电压形成的示意图。当栅走线打开或关闭的一瞬间,电压的变化是最激烈的,大约有 30V~40V,再经由寄生电容 Cgd,影响到显示电极的电压。在图 4 中,帧 N 的栅驱动电压打开时,会产生一个向上的馈通电压到显示电极上,源驱动器仍将显示电极充到正确的电压上,影响便不会太大。当栅驱动走线关闭的时候,由于源驱动器不再对显示电极充电,所以栅驱动器关闭时的电压压降,经由寄生电容 Cgd 馈通到显示电极上,造成显示电极电压有一个馈通的压降,而影响到灰阶显示的正确性。由于此时源驱动器已经不再对显示电极充电,馈通电压压降会一直影响显示电极的电压,直到下一次栅驱动走线再打开的时候,所以这个馈通电压对于显示画面的灰阶的影响,人眼可以明显感觉到它的存在。
为解决闪烁现象,设计了一种门宽调制控制器电路,能有效解决闪烁现象和栅驱动器馈通问题,通过延时控制避免 TFT-LCD 液晶设备的错误显示。该门宽调制控制器电路易于在芯片内集成,提高了芯片的集成度,减小了 TFT-LCD 外围电源电路的 PCB 面积,静态电流小于 1μA,有效降低了系统的功耗。
3.2 门宽调制控制器电路的实现
图 5 所示为传统的门宽调制控制器电路,由于传统的门宽调制电路输出是个完整的方波,其输出到栅驱动器从而驱动 TFT-LCD 会引起闪烁现象的发生。图 6 是新设计的门宽调制控制器电路[2],与传统门宽调制控制器相比,延时可调且下降斜率可调,能有效地避免传统的门宽调制控制器电路所引起的闪烁现象。它由使能单元、延时控制单元、放电控制单元、时序逻辑控制、电平移位、缓冲器 Bufferl、缓冲器 Buffer2 等组成。延时控制单元由M1,M2,M3,M4,M5,CE,COMP,I4,I6,M20 等组成。当 Enable 信号为低电平“0”时,门宽调制控制器电路停止工作,IREF1 为零温度系数电流,VFLK 为占空比为 50% 的方波信号,VGH-M 的容性负载 Cload 大小为 1nF,此时门宽调制电路的输出为 VGH-M,电容 CE 上的电压为 f (VCE),对于任意一个时钟周期,当 nT<t<nT+T/2时,
VGH-M=0,f (VCE)=0                           (13)
当 Enable 信号为高电平“1”,VFLK 为低电平“0”时,电容 CE 开始充电,当电容 CE 的电压达到 VREF 时,比较器输出高电平“1”,经过逻辑关断 M4,停止对电容 CE 充电,由此可得,当 nT+T/2<t<nT+T/2+CEVREF/KIREF1 时,经由控制逻辑和 M6,M7,M8,M9,M10,R1,R2,R3 组成的电平转换电路,M11 保持导通,电容 CE 充电到 VREF 的延时时间为 Tdelay,输出 VGH-M 的负载电容 Cload 的电压保持为 VGH. (W/L)M1:(W/L)M2=1:1,(W/L)M3: (W/L)M4=1: K1,此时有,
                        (14)

          (15)

当在下一个时钟周期到来之前,即 nT+T/2+CEVREF/K IREFl<t<(n+1)T 时,电容 CE 上的电压保持为 VREF,控制逻辑和电平转换电路关断 M11 和 M19,通过由 Bufferl,Buffer2,R1,RE,M12,M14,M15,M16,M17,M18 组成的放电控制单元放电,负载电容放电至 VADD,放电电流大小为 Idch,斜率为 Slope,下降时间为 Tf,(W/L)M17: (W/L)M16=1: 1,(W/L)M15: (W/L)M14=1: K2,此时,

VGH-M=VADD ,   f (VCE)=VREF                (17)
当 Enable 信号为高电平“1”,VFLK 为高电平“1”时,电容 CE 放电到“0”,比较器 COMP 输出为 0,控制逻辑和电平转换电路打开 M11,关断 M12 和 M19,完成对负载电容 Cload 的快速充电,此时,
VGH-M=VGH ,   f (VCE)=0                                        (18)
最终设计的门宽调制控制器电路的输出 VGH-M 为三态输出,通过下降延时有效地避免了栅驱动器的馈通现象,从而抑制了 TFT-LCD 液晶显示设备的闪烁现象和错误显示,则系统在任意一个时钟周期内有


    (20)
4 实验测试结果
4.1 整体电路仿真结果
基于 UMC 0.6μm BCD 模型,用 Hspice 仿真本电路(VIN=5V,VGH=25V,VADD=14V,RE=33kΩ,CE=470pF),仿真结果表明门宽调制控制器电路瞬态特性良好,与传统门宽调制电路相比,该门宽调制控制器电路输出下降延时可调,下降斜率可调。仿真结果如图 7 和图 8 所示,图 8 中虚线之间部分为 VGH-M 下降延时 Tdelay 和可调下降斜率 Slope。图 9 是在 RE=33kΩ,CE=470pF;RE=100kΩ,CE=lpF;RE=100kΩ,CE=lnF;RE=100kΩ,CE=10pF,RE=150kΩ,CE=10pF;下降斜率 Slope 和下降延时 Tdelay 随温度变化的实测曲线。表 1 为芯片的 DC-DC 和电荷泵主要电特性。表 2 为门宽调制控制器的下降斜率和可调延时的仿真测试对照表,该控制器电路能有效地避免闪烁现象的发生,提高了 TFT-LCD 液晶显示设备的画面质量。
文献[7] 介绍了 TFT-LCD 液晶显示单元的动态分析模型方法,其中分析了栅走线和液晶面板之间的耦合效应,文献[8] 给出了 TFT-LCD 液晶显示的低功耗应用,文献[9]介绍了一种手提嵌入系统的低功耗 LCD 液晶显示方法。本文在对文献[7~9] 研究的基础上,分析了 TFT-LCD 液晶显示的闪烁现象和馈通电压的产生原因,设计了一种集升压型 DC-DC、输出可调低纹波电荷泵和门宽调制控制器于一体的芯片。利用可调延时和下降斜率的控制来抑制 TFT-LCD 液晶显示的闪烁现象,提高了液晶显示的质量,其静态电流小于 1μA,芯片集成度和效率均得到提高,满足了 TFT-LCD 液晶显示的低功耗应用要求。
4.2 投片测试结果及版图
上述含有可调延时的门宽调制控制器电路的芯片已在 UMC 0.6μm-BCD 工艺线投片,对投片结果进行实测验证。图 10 是 DC-DC 的实测波形,测试条件为 DC-DC 输出滤波电容为 47μF,电感为 10μH,VIN=5V,测得 VADD=9.81V,其中 Chl 是电感电流波形,Ch2 是 DC-DC 输出 VADD 的电压。图 11 是电荷泵的实测波形,测试条件为泵电容 C1 为 0.1μF,输出负载电容 C2 为 lμF,fosc=1004kHz,测得电荷泵输出电压 Ch3 为 25V,交流纹波 Ch4 为 40mV(负载电流为 50mA)。
图 12 为可调延时门宽调制控制器的实测波形,测试条件为 RE=33kΩ,CE=470pF,Cload=lnF,测得可调延时为 1.94μs,其中 Ch2 为门宽调制控制器输出 VGH-M 的波形,Ch4 为 VFLK 时钟信号波形。图 13 为具有可调延时和可调下降斜率的门宽调制控制器芯片显微照片,框内为门宽调制控制器电路,其面积为 0.3mm2,静态电流小于 1μA。
5  结论
通过分析闪烁现象发生的原因和栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于 DC-DC 和可调电荷泵的可调延时的门宽调制控制器电路。投片测试结果表明,基于 DC-DC 和电荷泵的可调延时门宽调制控制器电路工作良好,能有效地抑制 TFT-LED 液晶显示的闪烁现象,静态时消耗电流小于 1μA,大大减小了芯片系统功耗,其易于片内集成,有利于减少 TFT-LCD 外围驱动的 PCB 面积。
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转载于《半导体学报》

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