安森美半导体扩充中等电压功率MOSFET系列，推出8款新器件用于消费和工业应用

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安森美半导体扩充中等电压功率MOSFET系列，推出8款新器件用于消费和工业应用

2008-11-14 10:32:56 来源：大比特资讯

新的60 V强固 MOSFET为电源、转换器、PWM控制和桥电路中的中等电压开关应用而设计

全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。

    这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比，降低传导和开关损耗。所有这些性能特性，使电源子系统能效更高。

    安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“这些新的中等电压器件，壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案，满足我们消费和工业应用的扩大客户需求，强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”

    器件

    这些器件提供宽的规范点范围，让设计人员能够灵活地选择采用DPAK、D2PAK和TO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。

器件型号	封装	VDS (V)	ID (A)	Rdson (mΩ) @ 10 V	Qg (typ) (nc)	EAS (mJ)
NTB5411N	D2PAK	60	75	8.5	92	336
NTP5411N	TO-220	60	75	8.5	92	336
NTB5412N	D2PAK	60	60	14	62	211
NTP5412N	TO-220	60	60	14	62	211
NTB5426N	D2PAK	60	120	5	170	1000
NTP5426N	TO-220	60	120	5	170	1000
NTD5413N	DPAK	60	45	21	33	101
NTD5414N	DPAK	60	20	37.5	21.2	57.8