高温电阻解决了消费类产品中的散热和成本问题 
                                                                        
    富士通微电子（上海）有限公司今日宣布推出两款新型消费类FCRAM（*1）存储器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。这两款芯片支持DDR SDRAM接口，是业界首推的将工作温度范围扩大至125°C的芯片。富士通微电子今日起开始提供这两款新型FCRAM产品。这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装（SiP）。 

    如果SiP架构上的片上系统（SoC）整合了新型FCRAM芯片，当SiP工作速度提高导致工作温度上升时，存储器也不会对操作造成影响或限制，客户将从中受益。此外，它还具有其它优势，如可降低产品设计开发难度，节省电路板空间，并减少元器件数量（详细信息请参照附件1）。 

    目前，市场对消费类数字产品的性能、速度和开发成本的要求越来越高。为满足这些需求，就会更多地使用SiP，要求它同时整合带有SoC的存储器芯片。使用SiP可以减少元器件数量并节省电路板空间，进而能够降低系统成本。使用SiP还能简化高速存储器开发或采取降噪措施等设计。

　 
    图1: 存储器SiP上的散热设计方案比较：显示使用新型FCRAM的优越性

    如图1所示，迄今为止，使用传统的存储器，SiP发挥受限，而使用新型FCRAM产品就可以解决这一问题。图1(a)介绍的SiP架构上使用的高性能SoC功耗较高，产生的热量可使SiP温度上升到105 °C。因为SoC的最高温度额定为125 °C，所以操作能够正常进行，但使用传统的存储器仅可在最高为95 °C的温度环境下运行，因此不能使用这一SiP架构。 

    要在SiP上使用传统的存储器，另外一种方法是添加类似散热器等散热器件。如图1(b)所示，这一方案可使SiP温度降低到90°C，器件可以运行，但是增加了成本和电路板占用面积。因此，许多一直在研究SiP的客户希望扩大存储器的工作温度范围。 

    富士通微电子正是应对这一需求而开发出了最高工作温度为125 °C 的512 Mb和256 Mb消费类FCRAM产品。如1(c)所示，使用额定为125°C的FCRAM，即使整合一颗高功耗的SoC，SiP也能运行良好，无需添加散热器。这就解决了使用额定为95 °C的传统存储器而需要采取散热措施而引发的成本增加问题。 

    而且，即使在125°C的环境下运行，这些新型FCRAM产品也可以提供传统DDR SDRAM存储器两倍的数据传输率，同时还能保持低功耗。事实上，与传统的DDR2 SDRAM存储器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗达50%。所以，这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%（详细信息请参照附件2）。 

    富士通微电子将继续为SiP开发具备必要性能和功能的产品，从而为消费类电子产品提供价值和成本最优的解决方案。 

    样片提供 

 
    销售目标 
    每月共销售一百万片 

    产品特性 
    1. 业界首推在125 °C下运行的芯片 
    这些新型FCRAM最高工作温度为125 °C，与传统SDRAM存储器最高85°C或者95°C的温度规格相比，提高了系统内的允许功耗。因此，可以实现SiP解决方案，而这在以前是不可能的，例如：高性能数字消费类电子产品所需的高功耗SoC若整合了存储器会导致器件过热。而且该产品可以使用低成本封装，无需高温规格。 

    2. 低功耗 
    通过将总线宽扩大至64 bit、减少工作频率和使用终端电阻（*2），与两个使用16 bit总线宽的传统DDR2 SDRAM存储器芯片相比，新型FCRAM可降低功耗最高达50%。这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%。 

    3. 高速数据带宽 
    工作温度是125 °C时，新型FCRAM通过使用64 bit总线宽并在最高工作频率为200 MHz运行时，可以提供3.2 GB/秒的数据传输率，这是传统的DDR2 SDRAM速度的两倍。若工作温度不高于105 °C（≤ 105 °C），在216 MHz的工作频率下运行时，产品的数据传输率将增加到3.46 GB/秒。 

    附件 
    512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要规格 
 

存储器架构	2M word × 64 bit × 4 banks
电压	1.7 V ~ 1.9 V
接口	低功耗DDR SDRAM (CMOS)
工作温度范围（结温）	-10 ℃ ~ +125 ℃
突发工作频率	最高：105 °C	216 MHz（最高）
	最高：125 °C	200 MHz（最高）
数据传输率	最高：105 °C	3.46 GB/秒（最高）
	最高：125 °C	3.2 GB/秒（最高）

    256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要规格 

 

存储器架构	1M word × 64 bit × 4 banks
电压	1.7 V ~ 1.95 V
接口	低功耗DDR SDRAM (CMOS)
工作温度范围（结温）	-10 °C ~ +125 °C
突发工作频率	最高：105 °C	216 MHz（最高）
	最高：125 °C	200 MHz（最高）
数据传输率	最高：105 °C	3.46 GB/秒（最高）
	最高：125 °C	3.2 GB/秒（最高）