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【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。
英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。
英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。
本期Big-bit拆解将带来关于某品牌电动车控制器的产品拆解，该控制器采用了上海贝岭的功率MOSFET，让我们来看看它在产品中的作用和优势吧。
瑞森半导体进一步壮大和完善超结(SJ)MOSFET系列，推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势，为国内少有产品型号 ，技术领航市场。
本文总结了功率因素校正电路PFC电感加旁路二极管作用的几种不同解释：减少主二极管的浪涌电流；提高系统抗雷击的能力；减少开机瞬间系统的峰值电流，防止电感饱和损坏功率MOSFET。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚，分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。
本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的非线性特性，探讨了影响这二个电容的相关因素。
2016年12月15日，北京讯— 德州仪器 (TI) 近日宣布推出了一组12V，10A，4MHz降压电源模块，与市场现有10A电源模块解决方案相比，可将电源管理解决方案的体积减小20%。SWIFT TPSM84A21和TPSM84A22 DC/DC模块易于使用，并将功率MOSFET、隔离电感、输入和输出电容以及无源器件集成于薄型封装中。
电源的设计是一个比较成熟的领域，可以采用另外一种设计思路实现度显示屏的供电，例如同步整流技术。Q10为功率MOSFET，在次级电压的正半周，Q10导通，Q10起整流作用;在次级电压的负半周，Q10关断，同步整流电路的功率损耗主要包括Q10的导通损耗及栅极驱动损耗。
