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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MO
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的“中国最具竞争力功率器件产品奖”和“中国最具竞争力电容器产品奖”。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一
Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电
夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其TANTAMOUNT® Hi-Rel COTS T97和商用的工业级597D系列固钽贴片电容器，以及ThunderFET™ SiR880DP 80V N沟道功率MOSFET入选2011年Design News杂志电子和测试类Golden Mousetrap Best Produc
Vishay Intertechnology， Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。
100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。该驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特诸多 DC/DC 控制器中的一
