摘要：  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39m～600m，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

关键字：  MOSFET，  Vishay，  

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39m～600m，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

今天发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导损耗和开关损耗，从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲，保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。

器件规格表：

型号VBRDSS (V)ID @ 25 ºC (A)RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (m)Qg typ @

Vgs = 10V

(nC)封装

SiHP7N60E 600760020TO-220

SiHF7N60E 600760020TO-220 FullPAK

SiHD7N60E 600760020DPAK/TO-252

SiHU7N60E 600760020IPAK/TO-251

SiHP12N60E 6001238029TO-220

SiHF12N60E 6001238029TO-220 FullPAK

SiHB12N60E 6001238029D2PAK/TO-263

SiHP15N60E 6001528038TO-220

SiHF15N60E 6001528038TO-220 FullPAK

SiHB15N60E 6001528038D2PAK/TO-263

SiHP22N60E6002218057TO-220

SiHB22N60E6002218057D2PAK/TO-263

SiHF22N60E6002218057TO-220 FullPAK

SiHG22N60E6002218057TO-247AC

SiHP30N60E6003012585TO-220

SiHB30N60E6003012585D2PAK/TO-263

SiHF30N60E6003012585TO-220 FullPAK

SiHG30N60E6003012585TO-247AC

SiHW30N60E6003012585TO-247AD

SiHB33N60E 6003399100D2PAK/TO-263

SiHP33N60E 6003399100TO-220

SiHG33N60E 6003399100TO-247AC

SiHW33N60E 6003399100TO-247AD

SiHG47N60E6004799147TO-247AC

SiHW47N60E 6004764147TO-247AD

SiHG73N60E6007364241TO-247AC

SiHW73N60E 6007339241TO-247AD

*备注：粗体的器件是E系列的新增型号。

这些新款功率MOSFET现可提供样品，量产订货的供货周期为十六周到十八周。