GaN冲上2200V，PI盯上SiC市场

Power Integrations正式发布其新一代2200V PowiGaN™技术，这是其继750V、900V、1250V和1700V之后，再次将GaN器件耐压等级向上推进。

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。

MirPower 150V 工艺平台MOSFET产品

无锡美偌科微电子(MirPower)推出了全新150V工艺平台 MOSFET产品，主要针对大功率电源(DC-DC)、大功率电机驱动(BLDC)和电池管理系统(BMS)。

Power Integrations发布新技术白皮书，深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势

650V高压IGBT与40V低压MOS技术解析——电机驱动功率器件选型专题

新品速递 | 英飞凌、PI、安森美推出功率模块

英飞凌发布新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC；PI推出集成离线式开关IC TinySwitch™-5；安森美推出基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM系列。

英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650V G2，提高系统功率密度

英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。

德州仪器推出先进的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机

德州仪器(TI)推出了适用于250W电机驱动器应用的先进650V三相GaN IPM。这款全新的GaN IPM解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调(HVAC)系统时通常面临的许多设计和性能折衷问题。

ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。