一、650V高压IGBT产品介绍及选型推荐

　　650V 10A~75A系列产品

　　基于贝岭第6代Trench FS IGBT工艺平台，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

　　该系列提供3个版本产品：

　　低频版：先进的正面结构设计，可以实现Vge≤15V，tsc=5us的短路能力，以及足够低的Vcesat，推荐应用频率2~25kHz;

　　低频版plus：通过正面结构设计的进一步优化，实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，以及Vcesat typ=1.55V，对变频器等电机驱动应用提供更匹配的应用支持;

　　高频版：通过良好的Vcesat-Eoff折衷特性，可以支持客户最高60kHz的应用频率需求。

　　650V 80A~200A 系列产品

　　基于贝岭第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力;终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

　　该系列提供3个版本产品：

　　低频版：Vcesat_typ=1.5V，可以实现Vge≤15V，tsc=3us的短路能力，推荐应用频率2~25kHz;

　　高频版：Vcesat_typ=1.5V，推荐应用频率：20~30kHz，推荐应用领域：光伏储能，工业焊机;

　　特高频版：Vcesat_typ=1.6V，推荐应用频率：30~50kHz，推荐应用领域：充电桩，工业电源，工业焊机。

　　为满足不同客户需求，该系列产品还可以提供低频版plus的定制化需求(实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，Vcesat typ=1.5V)。

　　高压电机驱动应用IGBT型号推荐：

　　二、40V低压MOS产品介绍及选型推荐

　　贝岭40V系列SGT MOS基于GTA最新的低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及HDP工艺：红磷衬底的电阻率只有砷衬底的1/3，采用红磷可以显著降低衬底电阻;HDP工艺可以制得高密度元胞，降低沟道电阻及整体导通电阻。得益于精心调试的工艺，高密度元胞并没有额外增加应力，wafer仍然可以减薄至100um(非taiko)，这也显著降低了衬底电阻。

　　封装方面，40V SGT主要是PDFN5*6封装，键合方式有常规铝带和铜片clip两种：常规铝带的封装电阻小于铝丝键合，成本较低;铜片clip的封装电阻远小于铝丝/铝带键合，过流能力较强。

　　低压电机驱动应用SGT MOS型号推荐：