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在能源效率与功率密度需求持续攀升的背景下，功率半导体技术正经历持续突破。
随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。
与传统伺服系统相比，人形机器人的伺服系统具有更高的控制精度、尺寸和散热要求。本文介绍了GaN（氮化镓）技术在电机驱动器中的各种优势，并展示了GaN如何帮助解决人形机器人中伺服系统面临的挑战。
英飞凌发布新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC；PI推出集成离线式开关IC TinySwitch™-5；安森美推出基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM系列。
新款封装采用先进的顶部散热（GTPAK™）和海鸥脚（GLPAK™）封装技术，可满足更高性能要求，并适应严苛环境条件。
Power Integrations发布新款HiperLCS™-2芯片组，实现输出功率翻倍；英飞凌带来首款P沟道器件，扩展耐辐射功率 MOSFET 产品组合；瑞能半导体上新WeenPACK-B系列，覆盖100kW场景。
Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器;英飞凌带来采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管;辰达半导体发布40V N 沟道增强型MOSFET：MDD210N40P。
近一周，英飞凌、新唐科技、Vishay等半导体大厂发布新品，涵盖MOSFET、锂电池监控IC、高压电容器等多款产品。
本周，英飞凌、Nexperia、思瑞浦、极海等半导体国内外厂商发布新品，涵盖MOSFET、电源管理IC、工业级通用MCU等多款产品。
本周，英飞凌、瑞萨电子、极海半导体以及先楫半导体等多家国内外半导体厂商发布新品，涵盖IGBT、100V N沟道MOSFET以及实时控制MCU等多款产品。
