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市面上有一些功率高达2kW且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。
本应用简报介绍TI GaN器件如何改进光伏充电控制器。与MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并减小PCB尺寸，而且不会增加BOM成本。
在AI服务器电源走向高压大功率之际，东芝围绕SiC、GaN到低压MOSFET三大产品线，通过结构与封装优化，降低导阻、抑制漂移与热设计等三大领域的的创新，建立场景适配能力。
日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET。
在能源效率与功率密度需求持续攀升的背景下，功率半导体技术正经历持续突破。
随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。
与传统伺服系统相比，人形机器人的伺服系统具有更高的控制精度、尺寸和散热要求。本文介绍了GaN（氮化镓）技术在电机驱动器中的各种优势，并展示了GaN如何帮助解决人形机器人中伺服系统面临的挑战。
英飞凌发布新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC；PI推出集成离线式开关IC TinySwitch™-5；安森美推出基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM系列。
新款封装采用先进的顶部散热（GTPAK™）和海鸥脚（GLPAK™）封装技术，可满足更高性能要求，并适应严苛环境条件。
Power Integrations发布新款HiperLCS™-2芯片组，实现输出功率翻倍；英飞凌带来首款P沟道器件，扩展耐辐射功率 MOSFET 产品组合；瑞能半导体上新WeenPACK-B系列，覆盖100kW场景。
