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全球领先的嵌入式系统开发软件解决方案供应商IAR与北京国科环宇科技股份有限公司联合宣布，最新版本IAR Embedded Workbench for RISC-V将全面支持国科环宇AS32X系列RISC-V MCU，双方将共同助力中国汽车行业开发者的创新研发，同时将不断深化合作，扩展在行业的技术探索及生态完善。
CIO时代联合创始人兼COO、新基建创新研究院秘书长刘晶女士在近日举办的“ISC AI 2024 第十二届互联网安全大会”活动现场，专访了360数智化集团云盘产品部负责人彭际华，一起聊聊“存智一体”构建知识驱动的人工智能平台相关话题。
本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
APT32F173系列采用全国产RISC-V内核，核内载8K ICACHE，具有单精度浮点和DSP运算能力，主频最高可达105MHz，跑分3.5CoreMark/MHz。
6月14日，2023上海国际嵌入式展在上海世博展览馆3号馆盛大开幕。航顺芯片作为IAR System合作伙伴，提供了ARM+RISC-V异构多核MCU硬件平台。
跃昉科技NB2作为目前业内第一款基于RISC-V架构的边缘智能高端处理器产品，已在智慧能源、智慧物流、智能制造、智慧城市等领域实现应用落地。
局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。
随着科技发展，国内芯片研发技术不断提升，虽说国内缺乏代工企业，无法独自进行批量生产。但也有不少“黑马”问世，如中科昊芯，成立仅2年时间，就自主研发了根据RISC-V构架的DSP芯片流片检测并快速进入批量生产阶段。
早在2020年，媒体曝出英伟达计划重金收购ARM。完成收购必然会使中国芯片遭受到和华为公司一样的处境。不过，在今年5月份阿里云峰会上，阿里平头哥推出了三款RISC-V。这能让中国芯片后续的道路更好走，更顺畅。
主要介绍了机器设备中的“管理中心大脑”，嵌入式主板一般认为是嵌入在设备外边做控制、数据信息处理应用的cpu板，以及介绍了主板的两种根本类型为RISC和CISC。
