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英飞凌推出市场首款2000V分立式SiC二极管，以TO-247-2封装和.XT互联技术提升1500V系统效率；圣邦微电子发布新款电池充电控制器，具备功率监控和SMBus功能；先楫半导体则带来600MHz RISC-V双核MCU HPM6P81，拥有32路高分辨率PWM和4×16位ADC。
英飞凌发布新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC；PI推出集成离线式开关IC TinySwitch™-5；安森美推出基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM系列。
比亚迪推动电车迈入千伏时代。车规级SiC功率模块的耐压要求可能进一步提升至1500V，甚至2000v以上。
随着SiC帝国的不断完善，博世有望转型为8英寸晶圆厂商，在中国等市场占据优势。然而，面对领域内专业大厂的竞争，博世仍需应对诸多挑战。
车规级SiC模块产能再扩充，在全球半导体巨头纷纷布局SiC赛道的背景下，利普思凭啥敢竞争？
Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器;英飞凌带来采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管;辰达半导体发布40V N 沟道增强型MOSFET：MDD210N40P。
英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。
全球第三代半导体产业发展迅速，成为半导体技术研究的前沿和产业竞争的焦点。在新能源汽车等应用市场快速发展的推动下，国内外厂商正在积极布局碳化硅业务，发展前景究竟如何？
安森美宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
