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本文通过对SiC压敏电阻和ZnO压敏电阻两种吸能元件的性能比较，指出SiC压敏电阻存在的问题，介绍了高能ZnO压敏电阻的技术优点。
随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。
英飞凌推出市场首款2000V分立式SiC二极管，以TO-247-2封装和.XT互联技术提升1500V系统效率；圣邦微电子发布新款电池充电控制器，具备功率监控和SMBus功能；先楫半导体则带来600MHz RISC-V双核MCU HPM6P81，拥有32路高分辨率PWM和4×16位ADC。
英飞凌发布新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC；PI推出集成离线式开关IC TinySwitch™-5；安森美推出基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM系列。
比亚迪推动电车迈入千伏时代。车规级SiC功率模块的耐压要求可能进一步提升至1500V，甚至2000v以上。
随着SiC帝国的不断完善，博世有望转型为8英寸晶圆厂商，在中国等市场占据优势。然而，面对领域内专业大厂的竞争，博世仍需应对诸多挑战。
车规级SiC模块产能再扩充，在全球半导体巨头纷纷布局SiC赛道的背景下，利普思凭啥敢竞争？
Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器;英飞凌带来采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管;辰达半导体发布40V N 沟道增强型MOSFET：MDD210N40P。
英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。
全球第三代半导体产业发展迅速，成为半导体技术研究的前沿和产业竞争的焦点。在新能源汽车等应用市场快速发展的推动下，国内外厂商正在积极布局碳化硅业务，发展前景究竟如何？
