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在电源芯片的数字控制方法中，经常引入延迟环节。在引入延迟环节后，分析电路响应的方法特别是定量计算会变得比较复杂。本文通过对一种有延迟环节的burst控制方法的分析，提出一种可用于工程实践的方法，那就 是通过电路分析，用在静态工作点作瞬态响应仿真的方法得到参数调试方向。
量子技术能够对众多领域产生深远影响，包括复杂的仿真和计算、安全通信以及强大的成像和传感技术。
随着5G网络通信技术发展，分布密集的小型抱杆通信基站将是未来的主要安装场景，复杂接地场景下抱杆通信系统雷电流分流特性的研究具有重要意义。
本文说明如何使用LTspice®仿真来解释由于使用外壳尺寸越来越小的陶瓷电容器而引起的电压依赖性（或直流偏置）影响。尺寸越来越小、功能越来越多、电流消耗越来越低，为满足这些需求，必须对元件（包括MLCC）的尺寸加以限制。因此，电压依赖性或直流偏置的影响也受到关注。
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
随着5G技术的商用，仿真技术未来将会发挥更大作用，目前已有部分企业开始这方面的布局。
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。
2021年8月19日，中国上海讯——国产EDA行业的领军企业芯和半导体，在美国圣何塞举行的2021年DesignCon大会上，正式发布其高速仿真EDA解决方案2021版本。
