有关“低漏电”的最新话题,搜索1 次
实际上,对于小功率DC-DC电源转换,栅极驱动变压器是个理想的选择,因为这种变压器已经做了电压和时间大乘积(ET或伏特微秒乘积)以及低漏电感的优化。
TDK集团拓展了爱普科斯(EPCOS) B84771* IEC插座系列滤波器,增添了两名获得认证的新成员:配备集成保险丝的B84773*系列以及配备开关和保险丝的B84776*系列。这两个系列均提供适用于医疗应用的型号,且其最大漏电流为2μA,特别适用于有低漏电流要求的应用。
TDK集团拓展了爱普科斯(EPCOS) B84771* IEC插座系列滤波器,增添了两名获得认证的新成员:配备集成保险丝的B84773*系列以及配备开关和保险丝的B84776*系列。这两个系列均提供适用于医疗应用的型号,且其最大漏电流为2 µA,特别适用于有低漏电流要求的应用。
日前,半导体逻辑非易失性存储器 (NVM) 知识产权 (IP) 领先提供商 Kilopass Technology Inc.与世界领先的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981)今日宣布,Kilopass IP 已成功完成中芯国际 65、55、40 纳米低漏电(LL) CMOS 工艺技术的 JEDEC 三批资格认证。
中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际",纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所代码:981),中国最大的和最先进的半导体代工厂,今天宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米(um)低漏电(LL)工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务,主打中国快速发展的
最新的合作推出了15款基于中芯国际40纳米低漏电(40LL)工艺技术的Synopsys? DesignWare?知识产权(IP),可使设计师更容易地将各项功能集成到先进的低功耗SoC之中
上海, 2012年6月20日 -- 中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际",纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:981)和国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商 -- 灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称"灿芯半导体")今日宣布采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核芯片测试结果达到1.3GHz。
日前,灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。
中国上海和英国剑桥——国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:0981.HK)及ARM今日联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。
不论是智能手机还是平板电脑,轻、薄、小、低功耗及高性价比的产品总是最容易获得消费者的青睐,因此,对这些应用而言,理想的ESD保护二极管解决方案应具备小型化、薄型化、低箝位电压、低电容值、低漏电流、以及高整合度TVS数组等规格。