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采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
采用固相法制备一种具有高电位梯度、高非线性系数及高脉冲雷击耐受能力的氧化锌压敏电阻器。制得的压敏电阻器电位梯度为534-692V/mm，非线性系数α为71-89，8/20μs脉冲冲击耐受能力强。
磁控溅射是近年来得到广泛应用的成膜方法，相比于目前电压敏行业中广泛采用的烧银电极，溅射膜电极具有膜层致密，厚度均匀，附着性强等优点。溅射膜电极不管从生产工艺上还是膜层质量上，都显现出传统的烧银电极不可比较的优越性，采用磁控溅射制备ZnO压敏电阻电极，将是今后陶瓷金属化的主流技术。
文章介绍了银粉的制备技术、银浆的低温化技术、树脂酸盐浆料技术、银浆无铅化技术；以及银浆在我国用量，和国内、外银粉、银浆市场情况。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
采用传统固相法制备稀土氧化物Gd2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明：随着Gd2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增，非线性系数先增加后减小，而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。
分散剂是一种在分子内同时具有亲油性和亲水性两种相反物质的界面活性剂。分散剂广泛应用于压敏电阻浆料制备过程中，能有效改善浆料性能，稳定分散效果，提高压敏电阻性能。
