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随着工业4.0的先进制造工艺席卷全球市场，高度自动化系统的需求急剧增长，这些系统既需要在集成的制造流程中运行，又需要不断收集流程控制数据。
随着科技的发展，电子产品微型化趋势越来越明显，在未来物联网时代中，微型传感器（MEMS）对各个系统电能的提供至关重要。MEMS能量采集器很好的解决了传统能连采集器驻极体与MEMES组件制造工艺的兼容性问题，大大促进了物联网时代的发展。
在过去40年里，随着制造工艺的进步，各种专用存储设备不断推向市场，满足着不同系统的存储需求。众多的选择，意味着系统架构师和设计者可以同时考虑多种方案，根据应用选择合适的存储子系统。尤其是在网络应用方面，架构师面临着不断增加的网络流量所带来的挑战。
2016 年 9 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将多个VishaySiliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术，全面提高器件的性能参数，并且保证未来有很好的使用寿命。Vishay的模拟开关和复用器产品线始于二十世纪60年代，这次工艺
按照摩尔定律，芯片可容纳的晶体管数量每两年提高一倍。然而，摩尔定律不只是在同一颗芯片上将晶体管数量增加一倍的技术问题。摩尔定律暗示，随着芯片集成密度翻倍，功耗和性能都将会实现大幅度改进。在过去50年里，半导体工业一直按照摩尔定律发展，因为芯片的三个要素——价格、功耗和性能始终是在联
现在，斯坦福的研究人员发明了一种制造工艺，可以大大降低了制造砷化镓器件的成本，从而为砷化镓电子设备开开辟了新的用途，尤其是太阳能电池板。
人们对更小巧、更高效CPU的青睐，促使互补式金属氧化物半导体(CMOS)的制造工艺达到了纳米级。但这些精良制造工艺涉及的电源缩放和器件漏电等问题给精密模拟电路带来了不利影响，致使研究人员需要开发可以实现传统模拟密集型功能的高度数字化替代性架构。
作为领先的IT厂商，IBM一直致力于将光传感器和发射器集成在硅片上，使得芯片通过直接处理光学信号提升服务器、数据中心的数据带宽。近日，IBM官网上宣布在纳米光子芯片半导体技术取得新突破，即通过光子技术代替电子信号传输，并列集成不同的携带电路的光学组件，替代100nm集成电路制造工艺。
于逻辑电路，STMicro的ThomasSkotnicki认为传统的CMOS制造工艺方法己不再适用。因为当器件的尺寸持续缩小时，由于己达极限许多缺陷显现。按IBM技术经理MukeshKhare看法，如栅氧化层的厚度Tox再缩小有困难。另外，除非采用其它方法，因为随着互连铜线的尺寸缩小铜线的电阻增大及通孔的电阻增大也是另一个挑战。
德州仪器公司(TI)日前宣布推出一种新的高性能制造工艺，其有助于开发诸如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、运算放大器及功率放大器等高级模拟产品，从而进一步巩固了TI在高性能模拟与混合信号技术方面所处的地位。
