功率开关器件介绍 PWM逆变器的基础是电力电子器件，器件性能的好坏决定了PWM逆变器的性能。优质的电力电子器件必须具有如下特点：电力电子器件的特点
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D类放大器（数字音频功率）是一种将输入模拟音频信号或PCM 数字信息变换成PWM（脉冲宽度调制）或PDM（脉冲密度调制）的脉冲信号,然后用PWM 的脉冲信号去控制大功率开关器件通/断音频功率放大器。
综合了gtr和mosfet优点的igbt，是一种新型的80年代问世的绝缘栅双极性晶体管，它控制方便、工作频率高、开关速度快、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，igbt成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。
采用如EXB840等专用厚膜集成驱动电路芯片虽然可以简化驱动电路的设计，但每个驱动芯片仍需要一个隔离的供电电源，且每个芯片仅可驱动一个功率开关器件，应用仍有不便。而美国国际整流器公司生产的专用驱动芯片IR2132只需1个供电电源即可驱动三相桥式逆变电路的6个功率开关器件，可以使整个驱动电路变得简单可靠。
开关电源(Switch mode power supply， SMPS)设计人员需要节省空间的高成本效益电源解决方案，具有高能量效率，优化的系统性能和更高的可靠性。为了帮助应对这些设计复杂性挑战，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FSL206MRx集成式脉宽调制器(PWM)控制器。
科锐公司日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。新型SPICE模型能够帮助电路设计人员轻松地进行效益评估。与同级别的传统硅功率开关器件相比，科锐碳化硅Z-FET™ MOSFET功率器件能够实现更高的效率。
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。
英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管，具有很低的开关损耗和传导损耗，并且减小了永磁电机驱动电路的展板面积。新的RC-D快速IGBT具备更高开关频率，可实现更高能效，并且仅略微增加了逆变器的损耗。这有助于各种类型的应用实现节能、降低对散热管理的要求和降低电磁干扰(EMI)，包括家用空调风扇、洗碗机电机
在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)600V逆导型(RC)IGBT家族的两名新成员闪亮登场。
