半桥SiC功率模块是一种常见的功率电子拓扑结构，由两个功率开关器件（一般为MOSFET或IGBT）组成，用于控制电源输出电压的正负半周。在碳化硅（SiC）模块中，采用碳化硅材料作为开关器件，可以实现更高的开关频率和更低的开关损耗。 SiC材料具有高耐压、高节温特性，其半桥功率模块在输配电、工业变频、轨道牵引、可再生能源等领域为实现高效、节能、轻量小型的电力转换设备做出贡献。相比传统硅基IGBT功率模块，SiC半桥功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性。
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