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在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C,成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现,B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解,生成了氧化硼,而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定,添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
本文研究了 Sb2O3、TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3 和 MnO 掺杂对 SnO2 压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响。实验发现,TiO2 和 Co3O4 是促进 SnO2 陶瓷致密化烧结的有效添加剂,根据 XRD 图谱分析发现,Co3O4 与 SnO2 反应形成了 Co2SnO4 晶相,而 TiO2 则固溶于 SnO2 晶相;Sb 元素的引入能够促进 SnO2 晶粒的半导化;复合