宽禁带半导体是一类特殊的半导体材料，其禁带宽度在室温下大于或等于2.3eV。这类材料具有许多优异的特性，如耐高温、耐高压、抗辐射能力强、击穿电场强度好等。由于这些特性，宽禁带半导体被广泛应用于微电子和光电子领域，尤其在高温、高频、高功率等极端条件下表现出色。 常见的宽禁带半导体材料包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、立方氮化硼（C-BN）、氮化铝（AlN）以及金刚石等。这些材料在制造高功率电子器件、高频微波器件、紫外光电探测器件以及短波光电子器件等方面具有广泛应用。
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