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极海全新推出G32R502系列高性价比实时控制MCU/DSP，实现算力、性能、外设与成本的全面平衡，赋能新一代AI算力电源与运动控制产品实现迭代升级。
Power Integrations正式发布其新一代2200V PowiGaN™技术，这是其继750V、900V、1250V和1700V之后，再次将GaN器件耐压等级向上推进。
全新2200V PowiGaN™技术，可帮助AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高功率密度与系统运行效率，同时助力搭建安全性更高、结构更精简的电力系统方案。
纳芯微宣布推出基于其自研的第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器——SP301H/L系列。作为面向RS485通信隔离应用打造的新一代产品，SP301H/L在传输速率、功耗表现、抗干扰能力及封装尺寸等方面实现全面升级。
7月3日，东微半导体拟募资不超过14.36亿元，将核心资金砸向新型功率器件、新一代控制芯片及研发中心的建设，将发展第四代半导体摆在优先位置，这是功率半导体行业发展的又一标志性动作。
6月15日，中科曙光发布新一代通用高性能计算平台。6月15日，中科曙光发布新一代通用高性能计算平台。
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited推出其全新的aMOS E2™ 600V超结MOSFET平台。满足新一代高性能电源与太阳能逆变器对极致效率、超高功率密度及卓越稳健性的严苛需求。
近日，面壁智能正式发布并开源新一代端侧文本基座大模型MiniCPM5-1B。海光信息联合智源研究院众智FlagOS社区，依托FlagOS统一多芯片软件栈，第一时间完成该模型的适配与推理部署，实现“发布即支持”。
针对传统环氧粉末包封料在防潮性方面存在的性能局限，提出了一种基于有机硅改性环氧树脂包封材料设计方案。本研究为新一代高性能压敏电阻元件封装材料的设计与开发提供了有效思路。
中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
