栅双极型晶体管是一种具有栅极的三端器件,由电力晶体管和电力场效应晶体管组成。这种晶体管具有良好的特性和应用前景,被广泛应用于智能电网新能源发电、产业变频等领域。 栅双极型晶体管的工作原理是利用栅极电压来控制晶体管的通断,从而实现电压和电流的调节。其优点包括高输入阻抗、低驱动功率、高速开关等,同时其输出特性呈线性关系,适用于模拟信号的处理。 与普通的晶体管相比,栅双极型晶体管具有更高的输入阻抗和更低的导通电压,因此可以减小信号衰减和能量损耗。同时,由于其高速开关的特性,栅双极型晶体管在实现高频率的控制
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英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码:IFX / 美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。
IGBT芯片,即“绝缘栅双极型晶体管芯片”,是新一代功率半导体器件。工作中,通过调整栅极电压的大小和极性,可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船舶驱动、电动汽车、工业变流、航空航天以及化工冶金等众多重要行业和领域。
据IHSiSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告,由于绿色能源与能源效率得到更多的重视,以及政府投资支持和严格的能源政策,2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元,2015年有望达到13亿美元。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月8日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,可在+105℃高温下工作,有7
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。
功率半导体器件之一的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件,目前位居前十位的IGBT厂商均为外资企业,共同占据了40%的市场份额。因其技术的复杂性导致生产该器件的厂商均为国个企业。而近几年来,中国本土企业也正以较快的速度在该方面取得突破性的成绩。
据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告,由于绿色能源与能源效率得到更多的重视,以及政府投资支持和严格的能源政策,2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。