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PCIM-ASIA见证中国IGBT十年之变

2012-01-07 12:11:01 来源：半导体器件应用网点击：1212

摘要：功率半导体器件之一的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件，目前位居前十位的IGBT厂商均为外资企业，共同占据了40%的市场份额。因其技术的复杂性导致生产该器件的厂商均为国个企业。而近几年来，中国本土企业也正以较快的速度在该方面取得突破性的成绩。

关键字： 功率半导体器件， 双极晶体管， IGBT功率模块

功率半导体器件之一的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件，目前位居前十位的IGBT厂商均为外资企业，共同占据了40%的市场份额。因其技术的复杂性导致生产该器件的厂商均为国个企业。而近几年来，中国本土企业也正以较快的速度在该方面取得突破性的成绩。

(图为PCIM-ASIA主办方Udo Weller先生与研讨会主席英飞凌科技的Leo Lorenz博士)

PCIM-ASIA作为电力电子业界知名的展览与会议活动，将于2012年6月19-21日在上海世博展览馆举行。展览与会议活动将汇集世界知名IGBT厂商于同一屋檐下，为业界带来一场IGBT功率模块厂商的聚会。

变频家电市场的爆发性增长推动IGBT的快速成长，变频器节能也是IGBT产业成长的另一大助力。此外，新能源产业的兴起，智能电网从规划到大规模的实施，高速列车市场对IGBT巨大的需求潜力等等一系列方面，都将带动中国本土IGBT产业的快速发展。

(图为PCIM-ASIA现场大批采购商，市场需求可见一斑)

近年来，世界范围内IGBT器件发展迅速，特别是中国发展速度最快，成为IGBT最大消费国。目前我国IGBT年需求量已超过75亿元，而且每年以30%以上的速度增长。但国内目前只有少数企业从事中小功率IGBT封装，而且尚未形成产业规模。

(图为中国南车IGBT产业基地奠基仪式)

更值得一提的是中国南车所投资建立国内最大规模的IGBT产业基地，占地160亩，预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过20亿元。而作为老竞争对手，年年参与PCIM的中国北车也在2011年12月在IGBT方面取得突破进展。中国北车永济电机公司在西安发布了11种新一代功率半导体器件IGBT新产品，这也让业界为之侧目。据悉到2013年，北车永济将形成完善的IGBT器件封装设计、制造平台，产能达到高压大功率IGBT模块30万只，智能IGBT模块400万只，满足国内市场对IGBT器件的需求。

(图为北车永济工作人员展示其最新IGBT产品)

中国目前只有少数小功率IGBT的封装线，还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT 的封装能力，大部分都需要依赖进口。进年来中国自主研发的IGBT产品越来越突显其重要位置。在2012年6月19-21日举行的PCIM活动期间，知名IGBT厂商将汇聚一堂，届时，三菱电机、富士电机、英飞凌、日立、赛米控、Vincotech等国际展商将展示其最新的IGBT产品，而国内本土的IGBT厂商也将盛大亮相，如中国南车、嘉兴斯达半导体、江苏宏微科技等。而在IGBG驱动方面的CT-Concept，青铜剑电力电子等企业也将展示其最新的产品。