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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Silicon
日前，凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出能接受 40V 输入的同步降压型转换器 LTC3646，该器件采用 3mm x 4mm DFN-14 (或耐热增强型 MSOP16) 封装，可提供高达 1A 的连续输出电流。
美国加利福尼亚州门洛帕克-2012年12月4日-TE Connectivity旗下的业务部门TE电路保护部推出创新混合器件2Pro AC，为设计人员提供了一种保护敏感的下游电子产品，防止由于过流和过压事件而引起损坏的集成式可重置方法。新器件在单一封装中集成了聚合物正温度系数(polymeric positive temperature coefficient， PPTC)器件和热增强金属氧化物压敏
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
LTC3601 和 LTC3604 是新一代单片 DC/DC 转换器系列的成员，能应对相对高的输入电压和较低的占空比。这些器件紧凑的尺寸、高性能和需要很小外部组件的设计，使它们非常适用于紧凑型应用。这两款 IC 都采用紧凑和耐热增强型 3mm x 3mm QFN 和 MSOP 封装。
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。
