碳化硅（SiC）功率半导体是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，属于第三代半导体材料，也被称为宽禁带半导体材料。这种材料具有多种优异的物理特性，如高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、低介电常数和高热导率，使其在高温、高频率、高功率的应用场合成为理想的半导体材料。 与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在同样的耐压和电流条件下，其漂移区电阻要低得多，导通压降也较低，且开关时间可以达到10nS量级。因此，碳化硅功率半导体器件具有更高的能效和更优越的性能。
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