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英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。
由于SiC是硬度仅次于金刚石的超硬材料，SiC单晶和多晶材料作为磨料和刀具材料广泛应用于机械加工行业。作为半导体材料应用，相对于Si，SiC具有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和迁移速度。
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。
为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。
