碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的宽禁带半导体材料，具有高硬度、高熔点、高热导率、高击穿电场强度等优异特性，在第三代半导体材料中占据重要地位。碳化硅的莫氏硬度达到9.2-9.5，仅次于金刚石，显微硬度为2840-3320kg/mm²。其密度约为3.21g/cm³，熔点超过2700℃，热导率可达120-270W/(m·K)，是铜的2-3倍。碳化硅的禁带宽度为2.2-3.3eV，是硅的3倍，击穿电场强度是硅的10倍，饱和电子漂移速度是硅的2.5倍。这些特性使其在高温、高压、高频环境下具有显著优势。
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